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    飛兆100V BOOSTPAK解決方案,節省空間降低成本

    發布時間:2013-06-06 責任編輯:eliane

    【導讀】飛兆100 V BoostPak設備系列通過將MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內,簡化了電路板裝配并節省了空間,該解決方案提高了可靠性,降低了LED應用中的系統成本。與肖特基二極管相比,其泄漏電流更低,改進了高溫應用中的系統可靠性。

    飛兆半導體通過引入100 V BoostPak設備系列優化MOSFET和二極管選擇過程,將MOSFET和二極管集成在一個封裝內,代替LED 電視/顯示器背光、LED照明和DC-DC轉換器應用中目前使用的分立式解決方案。

    通過將MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內,FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD設備節省了電路板空間,簡化了裝配,降低了材料清單成本并改進了應用的可靠性。

    飛兆100V BOOSTPAK將MOSFET 和二極管集成在一個封裝內
    圖:飛兆100V BOOSTPAK將MOSFET 和二極管集成在一個封裝內

    該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導體 PowerTrench工藝生產,這一先進工藝專用于最小化導通電阻,同時保持卓越的開關性能。 NP二極管為超快速整流器,帶低正向導通壓降,具有出色的開關性能。 與肖特基二極管相比,其泄漏電流更低,改進了高溫應用中的系統可靠性。

    FDD1600N10ALZD 主要功能:

    • RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 3.4 A
    • RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V,ID = 2.1 A
    • 低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)
    • 低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

    FDD850N10LD 主要功能:

    • RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 12 A
    • RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V,ID = 12 A
    • 低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)
    • 低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)

    主要特點:

    • 快速開關
    • 100%經過雪崩測試
    • 可提高dv/dt處理能力
    • 符合 RoHS 標準

    供貨信息及報價(訂購1K)

    FDD1600N10ALZD的價格為0.49美元,FDD850N10LD的價格為0.57美元,均可按請求提供樣品,收到訂單后 8-12 周內可交貨。

    更多詳細信息可參閱:
    飛兆100V BOOSTPAK 解決方案:FDD1600N10ALZD 主要參數信息
    飛兆100V BOOSTPAK 解決方案:FDD850N10LD主要參數信息

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