【導讀】近日，Vishay推出D2PAK封裝的新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，該產品通過AEC-Q101認證并具有1.1mΩ的低導通電阻和200A的連續(xù)漏極電流。
Vishay40V N溝道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay宣布推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET。SQM200N04-1m1L特別針對“重型”汽車應用，是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級的7腳D2PAK封裝的首款功率MOSFET。
通過高密度TrenchFET技術，器件在10V和4.5V下實現(xiàn)了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導通電阻，將傳導損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續(xù)漏極電流達200A，工程師能夠設計出更具魯棒性的產品，為關鍵的安全應用提供額外的安全余量。
今天發(fā)布的SQM200N04-1m1L適用于電動轉向助力等高功率車用電機驅動應用。器件采用了專門設計，在生產過程中進行了100%的測試，可承受100A和500mJ的單個雪崩脈沖。器件具有0.4?C /W的低熱阻(結至外殼)，工作溫度范圍-55?C～+175?C。
SQM200N04-1m1L符合RoHS，通過100%的Rg和UIS測試。器件豐富和擴展了通過AEC-Q101認證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列。
新款車用功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。
