幾種非易失性內存器件。

 

NVM測試要求發生改變，對測試方案提出新的要求。

 

電氣表征在傳統上是使用DC儀器執行的，如源測試單元SMU儀器，表征之前脈沖發生器已經編輯和/或擦除內容單元。其缺點是，這要求某類開關，對測試器件交替應用DC或脈沖信號。另一種方法是偶爾會使用示波器，閃存狀態對脈沖電壓電平相當敏感，在被測器件DUT上檢驗脈沖保真度（脈沖寬度、過沖、脈沖電壓電平、上升時間、下降時間）。其缺點是測量瞬態電流的復雜性，意味著只能在脈沖傳送時才能獲得電壓測量。

 

后來傳統一體化表征方案有了很大改進，使用定制系統同時測量電流和電壓，測量方法一般使用負載或傳感電阻器，使用示波器或模數轉換器測量電流。但這也存在其缺點，一般創造性不強，測試功能有限，測試控制麻煩，要求耗費大量時間提取信息；以及負載電阻器對傳送到器件的電壓的影響，對許多脈沖測量會產生明顯負作用。

 

業內目前正在考察許多NVM材料和技術，每種材料和技術在物理內存特點方面都有著獨特之處。但是，對這些方法進行整體電氣表征時，很多重要的測試參數和方法都是相同的。這種共性意味著可以使用一臺測試儀器，來表征各種內存技術和器件。

 

新儀器要為科研人員提供額外的數據，可以用更少的時間更好地了解NVM材料和器件特點。應用脈沖，同時使用高速采樣技術測量電壓和電流，可以更好地了解提供內存行為的電氣和物理機制。在DC表征中增加這種瞬態表征功能，可以提供與固有的材料屬性和器件響應有關的基礎數據。

 

集中式的表征，泰克4200A一體化解決方案。

 

不管考察的是哪種特定內存技術，都要求脈沖傳送，來測試開關特點。脈沖傳送及同時測量提供了必要的數據，可以了解開關機制的動態特點。不同材料的說法不盡相同，例如，編程/擦除、設置/重設和寫入/擦除都用來指明比特1或0的基礎存儲。這些寫入/擦除程序在脈沖模式下完成，提供典型內存操作要求的整體速度，仿真最終產品環境。

 

左圖：4225-PMU 超快速I-V 模塊和兩個4225-RPM 遠程放大器/ 開關模塊。右圖：4225-PMU 方框圖，通過使用RPM1 和RPM2 連接，可以使用4225-PMU 及兩個4225-RPM。SSR 顯示了固態中繼器，其用于高阻抗模式，通過Fowler-Nordheim 隧道在閃存器件上執行編程或擦除操作。

 

泰克吉時利4225-PMU超快速I-V模塊是4200A-SCS使用的一種單插槽儀器卡，它有兩條電壓脈沖源通道，每條通道有集成的同步實時電流和電壓測量功能。測量分成兩類：采樣和均值。采樣類型用來捕獲基于時間的電流和電壓波形，這些波形對了解瞬態或動態特點至關重要。均值類型為I-V表征提供了類似DC的電流和電壓測量。實時采樣功能對于在單個波形中捕獲NVM材料的瞬態特點至關重要，因為應用重復的波形會導致內存開關行為，甚至損壞材料本身。

 

4225-RPM遠程放大器/開關是一種選配產品，是對4225-PMU的補充。這個小盒子位于DUT附近，提供許多NVM材料和技術表征必需的較低的電流測量范圍。此外，4225-RPM為4200A-SCS的源測量單元(SMUs)和CVU信號提供了開關功能，支持高分辨率DC測量和C-V測量。4225-RPM是一種單通道設備，因此要求兩個4225-RPM模塊，以匹配4225-PMU的兩條通道。4225-RPM模塊設計成位于測試器件附近(≤30cm或1英尺)，以最大限度減少線纜影響，提供改善的脈沖形狀和高速測量。

 

浮柵非易失性內存表征項目截圖

 

Clarius 軟件帶有一套NVM 表征使用的范例項目。可以使用Memory 過濾器在Project Library 項目庫中找到范例項目。這些項目為閃存、PRAM、FeRAM 和ReRAM 器件提供了測試和數據，演示了4200A-SCS 特別是4225-PMU 及4225-RPM 的功能。上圖是閃存器件項目浮柵非易失性內存表征項目的截圖。4225-PMU/4225-RPM 相結合，提供了基礎脈沖和瞬態I-V 測試功能，可以考察和表征各種NVM材料和器件。

 

泰克技術專家為業內工程師準備了詳細的NVM測試詳解，下載應用白皮書https://info.tek.com.cn/cn-2011-4200A-app-download.html。

 

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（來源：作者：泰克科技）