NO.1：1N4148

該IC是一款非常熱門，在Datasheet5中每天搜索量高達2000次的高速開關二極管，運用平面制作技術，使用密封鉛玻璃SOD27（DO-35）封裝，可應用于高速開關。

主要特點和優勢：

1、高開關速度：最大4ns
2、重復峰值反向電壓：最大100 V
3、重復峰值正向電流：最大450mA

NO.2：CSD13202Q2

一款功率MOSFET，在功率轉換和負載管理應用中大大降低功率損耗，同時此SON 2mm x 2mm封裝提供了出色的散熱性能。適用于：存儲、平板電腦和手持類器件、負載點同步降壓轉換器等等。

主要特點和優勢：

1、低熱阻、雪崩級
2、無鉛端子鍍層
3、小外形尺寸無引2mm × 2mm線塑料封裝

NO.3：S8050

一款生活中很常見的NPN硅晶體管，外殼材料使用模壓塑料制作，常溫下功率耗散只有0.625W，廣泛應用于各行各業的電路中。

主要特點和優勢：

1、功率耗散0.625W（T環境溫度= 25℃）
2、操作和存儲溫度范圍：-55℃?+150℃             
3、TO-92塑料封裝晶體管

NO.4：CSD95372BQ5M

最新的NexFET智能功率級，針對高功率、高密度同步降壓轉換器中的使用進行了高度優化，同時集成了驅動器IC和MOSFET來完善功率級開關功能，是高頻應用中多相位同步降壓轉換器的最佳選擇。

主要特點和優勢：

1、60A 持續運行電流能力
2、電流 30A 時，系統效率達到 93.4%
3、高端短路、過流和過熱保護

NO.5：2N3904 

這款器件就不多介紹了，一款很生活中很常見的NPN小信號晶體管，是理想開關和放大器的應用的最佳選擇，廣泛的滲透在我們日常生活的電路及電路板中。

主要特點和優勢：

1、理想的開關和放大器的應用             
2、互補PNP類型可用                
3、可以在這兩個通孔和表面進行貼裝

NO.6：FDMQ86530L

一款N 溝道MOSFET高效橋式整流器，該四通道MOSFET解決方案將二極管電橋的功率損耗降低了10倍，自推出以來得到工程師們的大力擁護，可應用于：有源電橋、中央辦公司。

主要特點和優勢：

1、PD 解決方案大幅提升效益
2、符合 RoHS 標準
3、二極管電橋的功率損耗非常低

NO.7：IRF540

一款N溝道增強型硅柵功率場效應晶體管，這可不是一個普通的IC。運用先進的電源MOSFET的設計，能夠承受能量在雪崩擊穿模式中指定級別的操作，在集成電路查詢網中一度成為最最熱門的器件之一，適用于：開關穩壓器、開關轉換器。

主要特點和優勢：

1、納秒的開關速度
2、高輸入阻抗
3、單脈沖額定雪崩值

NO.8：V15PN50-M3

一款高電流密度MOS勢壘肖特基整流器，具有超低VF =0.26 V（IF =5 A）。適用于：適用于低電壓高頻率DC / DC轉換器、續流和極性保護應用。

主要特點和優勢：

1、非常低的高度，僅為1.1mm
2、非常適于自動貼片
3、低正向壓降、低功率損耗

NO.9：BAV99

一款比較常見的串聯連接的小信號開關二極管，它的最大優勢在于從導通到截止或從截止到導通的時間比大部門大機關要段很多，所以很受廣大工程師們的追捧，多應用在電子設備的開關電路。

主要特點和優勢：

1、開關速度非常快
2、非常高的電導               
3、表面裝載包裝非常適合于自動插入

NO.10：2SC3355

一款高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管。專為低噪音的NPN硅外延晶體管放大器在VHF，UHF和CATV頻帶而設計的，同時具備廣的動態范圍和優秀的流動特性，可應用于：電子設備、工業控制領域等等。

主要特點和優勢：

1、低噪聲和高增益
2、高功率增益
3、10µA 輸出電流時的效率高達 90%

以上是為大家展現的本月最炙手可熱的不得了的十大分立半導體，分立半導體相對于其他的器件來說原理上是較簡單的，也更容易被工程師們所掌握和熟悉，而且型號較多應用較廣。

相關閱讀：

設計分享：教你設計電動汽車的功率半導體模塊
如何判斷半導體器件及集成電路損壞了？
安森美半導體汽車最新矩陣式全LED前照燈方案