先借兩個圖說明datasheet的主要電參數。
功率MOS器件中，BV與Rdson是最大的一對矛盾。
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BVds在20-100V范圍的器件的Rdson的表象關系如下圖所示。
可以看到，起碼從50-100V段，與Rdson是呈現線性增大的關系；其實從100-700V段，也是如此。

可以想象的是，若在保證同樣BV的前提下要求Rdson的降低，可看作同樣單位的晶胞數量的增加，意味著單位芯片的面積增加，也即意味著單位成本的增加，也即價格上升。
而這個關系，起碼在100V-700V的耐壓段的器件中，大致是線性增加的關系！

當然，這是在同等工藝前提下的比較。

功率MOSFET的Rdson具有正溫度特性。
如圖，Rdson與溫度呈非線性關系。在一些高溫環境的應用，例如汽車電子裝備等，在進行散熱計算時須充分考慮該特性。
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對某一類器件，假定Tc=150時的額定值與Tc=25時的比值為一個固定數值；
100V以下的中低耐壓的器件，該數值為1.7-1.8
500V左右的高耐壓的器件，該數值為2.4-2.5

根據柵極驅動閥值電壓的不同，功率MOSFET會分Vgsth為10V、4V、2.5V等產品類，近年一些如電池管理等應用還出現一些低閥值（18V-2.5V）的器件。在規格書中，一般是通過如下圖來描述的：
Vth有負溫度特性，溫度上升100度大致降低0.5V。如何降低Vth，一般是通過柵極氧化膜的薄化來實現。選用低Vth的器件時，應在設計中充分考慮關斷后驅動電壓低電平處理，避免續斷噪音或失誤。

Qg、Qgd是在設計高頻應用中開關損耗的重要項目。如圖a中，為達到指定的驅動電壓Vgs值（圖中xV），柵極的總充電電荷量，即為Qg；Qgd相當與米勒電容Crss，也是影響開關特性的重要參數。兩個參數與Vds正相關，Qg與Vds依存關系如圖b。

為了驅動柵極的柵極峰值電流Ig(peak)和驅動損耗P(driveloss)可用下式計算：
Ig(peak)=Qg/t
P(driveloss)=f*Qg*Vgs

在高速開關的應用中，功率MOS的Rdson*Qg的積越小，代表器件性能越好。在功率MOSFET的D、S極間有個寄生二極管。此二極管的額定電流值Idr和正向D極電流額定值Id相同。
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此二極管的特性是：當柵極驅動電壓為“零”壓降時，此二極管與平常的二極管的正向壓降特性相同；當柵極驅動電壓為正壓降時，此二極管能得到一個即使和肖特基二極管相比還要低的正向壓降，如圖。此正向壓降大小由此時的Rdson決定，Vsd=Id*Rdson
利用這個反向特性的特點，可積極應用于如下用途：
●防止電池反接的負載開關
●替代電機驅動電路的外接二極管
●開關電源的二次側同步整流電路

在充分發揮MOSFET寄生二極管的反向特性的電機驅動或開關電源同步整流的應用中，要求此反響恢復時間trr為高速。在這些應用中，由于當電路運行在trr期間時上橋臂/下橋臂短路，導致產生過大的接通損耗。因此，通常在這些應用的控制電路中，需要設計有在切換上/下器件開關的同時是柵極驅動信號斷開的DeadTime（比trr長的時間）。
同時，恢復時（上圖的tb時段）的di/dt曲線越陡，越容易產生噪音。因此要求軟恢復特性。另外應留意，trr會隨著溫度的上升會增大。
在同樣的工藝下，不同耐壓BV的器件trr有很大不同。BV為60V以下的低耐壓時，trr為40~60ns，速度較高；BV為100V級別時，trr為100ns左右；BV在250V~500V的高耐壓時，trr的值到了300~600ns，較慢。因此，為這方面應用的高耐壓器件，會有一些相應的工藝設計改動，開發在BV250V以上時trr在100ns左右的高速產品。
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下圖為某一30V的功率MOSFET的瞬間熱阻θch-c(t)與脈寬PW的關系特性。
此特性是為了計算器件在運行狀態時的溝道溫度。PW代表單觸發脈沖(1shotsinglepluse)或連續工作脈沖的脈寬時長。

例如一個穩定運行情況，工作頻率f=200Hz、占空比0.2、功耗Pd=50W，如何計算MOS的溝道溫度呢。

首先，f=200Hz即周期時長T=5ms；根據占空比0.2可得PW=1ms；
然后，從上圖查得瞬間熱阻θch-c(t)=0.3*1.14=0.342℃/W；
于是可得出在此工作狀態下，溝道與外殼的溫差ΔTch=θch-c(t)*Pd=0.342*50=17.1℃

[例1]

某穩定運行狀態，工作頻率F=2KHz、占空比D=0.2、外加功率Pd=50W，測得外殼溫度Tc=85℃
通過上述可得，周期時長T=500us；因D=0.2，得工作時長t=100us；所以溝道溫度Tch：
Tch=Tc+Pd*θch-c(t)
=85+50*0.22*1.14
=97.54℃

[例2]

在上面的穩定運行中，外加一個tp=60us、峰值功率Pd(peak)=500W的工作脈沖，峰值溝道溫度Tch(peak):
Tch(peak)=Tc+Pd*θch-c(t)+(Pd(peak)-Pd*D)*θch-c(tp)
=85+50*0.22*1.14+(500-50*0.2)*0.031*1.14
=114.86℃
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