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    行業領先帶9 KB FRAM的新型高頻RFID標簽芯片

    發布時間:2012-08-01 來源:電子元件技術網

    導言:富士通半導體推出用于RFID標簽的一款新的芯片,芯片用于高頻RFID標簽,帶9 KB的FRAM內存。大容量的內存和串口擴大了RFID標簽的潛在應用,為RFID在嵌入式領域和工業領域的應用開辟了新的可能性。

    富士通半導體(上海)有限公司今日宣布其FerVID 家族推出用于RFID標簽的一款新的芯片-MB89R112。該芯片用于高頻RFID標簽,帶9 KB的FRAM內存。FerVID家族產品使用鐵電存儲器(FRAM),具有寫入速度快,高頻可重寫,耐輻射,低功耗操作等特點。新品樣片2012年8月起批量供貨。

    圖1:MB89R112芯片圖
    圖1:MB89R112芯片圖

    MB89R112在高頻RFID標簽行業里擁有領先的內存容量并帶有串行SPI接口,這為RFID在嵌入式領域和工業領域的應用開辟了新的可能性。

    2004年以來,富士通半導體FerVID家族開發了兩個頻段的FRAM產品,芯片用于在HF波段(13.56 MHz)和UHF波段(860 ~ 960 MHz)下運行的高性能RFID標簽。今天,其產品應用廣泛,包括用于工廠自動化和維護部門的數據載體標簽的芯片,利用FRAM的快速寫入速度和大容量內存空間;用于醫療和制藥行業的芯片,可以承受伽瑪輻射和電子束;帶串口的芯片可以用于嵌入式應用。

    除了這些用途外,市場上產生了新的需求,要求產品具有大容量內存,并能連接RFID和傳感器及微控制器,用于無線改變產品的運行參數或者在產品分銷時無線捕捉環境因素日志。這些功能將有利于汽車和電子制造業的生產控制及飛機、道路、建筑和公共工程的維護應用。

    富士通半導體針對這一需求開發了用于RFID標簽的芯片-MB89R112,它包括一個串口SPI和9 KB容量的存儲空間,目前其它競爭商家在HF頻段的還沒有同樣大存儲空間的產品。MB89R112設計為近場無源RFID,符合行業標準ISO/IEC 15693。

    MB89R112 加入FerVID家族意味著生產線涵蓋容量為256 B ~9 KB的高頻段芯片和容量為4 KB ~ 64 KB的超高頻段芯片。此外,對于嵌入式應用的帶串口的芯片,生產線包括4 KB UHF段芯片和9 KB HF段芯片。連同其各種微控制器生產線,富士通半導體幾乎能滿足您的任何需要。

    圖 2. FRAM RFID產品線路圖
    圖 2. FRAM RFID產品線路圖

    MB89R112的特性及規格
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    MB89R112的特性:

    1.高頻RFID中內存空間行業領先

    該產品包括9 KB的FRAM,這是ISO/IEC15693定義的在高頻段運行的RFID芯片所能支持的最大密度產品。9 KB中的8 KB可用于用戶內存,配置為256塊,每塊32B,這可對ISO/IEC 15693定義的整個8 KB區域進行讀寫訪問。寫8 KB數據大約需要4秒,這比使用E2PROM的產品快六倍。RFID標簽上提供更多的數據,用戶可以更有效地使用以下應用:產品生命周期的追蹤管理,從制造、物流到使用和處置;現場的數據記錄儀,用于記錄設備維護日志。

    2.適合嵌入式應用的SPI

    該產品包括一個連接到微控制器的串口SPI。微控制器可以通過SPI接口讀取FRAM上8 KB的用戶數據,共享的用戶區域可用作數據記錄儀,也可用作改變微控制器的運行參數的參數區域。例如,可用來記錄物流的環境讀數,檢測設備錯誤,改變電子顯示,改變傳感器閾值,改變固件設置,并有許多其它以前高不可及的新穎和創新性的用途。

    MB89R112的主要規格

    規格
    內存容量
    9 KB (用戶內存空間:8 KB)
    存儲塊
    32 Byte x 256 Block
    工作頻率
    13.56MHz ± 7KHz
    通信標準
    基于ISO/IEC15693
    串行并行接口
    SPI 2MHz (最高)
    數據保存時間
    10 Years (工作溫度 : -40 to 85)
    重寫次數
    1 萬億(1012)

     


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