SiC779CD產品特性：

• 工作頻率超過1MHz
• 效率大于93%

SiC779CD應用范圍：

• 服務器和桌面電腦
• 圖形卡和工作站
• 游戲機和其他采用CPU的高功率系統

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有為PWM優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。

器件的工作頻率超過1MHz，效率大于93%。所有這些都集成在低外形、熱增強型PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝里。新的SiC779CD完全符合針對服務器和桌面電腦、圖形卡、工作站、游戲機和其他采用CPU的高功率系統中電壓調節器的DrMOS 4.0標準。

SiC779CD的先進柵極驅動IC可接收來自VR控制器的一個PWM輸入，并把輸入轉換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅動信號。器件的5V PWM輸入兼容所有控制器，經過特殊設計，可支持具有三態PWM輸出函數的控制器。

調節器可使用3V～16V的輸入電壓進行工作，最高可輸出40A的連續電流。集成的功率MOSFET為0.8V～2.0V的輸出電壓進行了優化，標稱輸入電壓為12V。SiC779CD在5V輸出下可為ASIC應用提供非常高的功率。

器件的驅動IC具有能自動偵測輕負載情況的電路，能自動開啟系統中為在輕負載條件下實現高效率而設計的跳頻模式工作(SMOD)。主動式失效時間控制有助于進一步提高在所有負載點上的效率。保護功能包括UVLO、擊穿保護，在結溫過高時，熱告警功能可對系統發出報警信號。

在SiC779CD里集成的驅動IC和功率MOSFET能夠減少功率損耗，減小與高頻分立功率級相關的寄生阻抗。設計者可以為高頻開關進行優化，改善瞬態響應，節約輸出濾波器元件的成本，在多相Vcore應用中實現盡可能高的功率密度。

器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiC779CD現可提供樣品，將在2011年6月實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周。