機遇與挑戰：

• 功率器件供應緊張問題下半年有望緩解

市場數據：

• 2005-2010 年間，全球功率半導體市場規模年平均增長率超過15%
• 大功率IGBT驅動芯片的出貨量連續六年增長速度超過60%

在漲聲一片中，功率器件市場送走了2010年，即使英飛凌、三菱電機、IR、飛兆和瑞薩等企業產能全開，仍未緩解2009年延續至2010年的功率器件荒。作為“十二五”的開局年的2011年，功率器件供應狀況依然緊張。“十二五”規劃中指出大力發展七大戰略新興產業，其中三項，即新能源 、新能源汽車、節能減排，都是以功率半導體器件為關鍵組件。

英飛凌科技(中國)有限公司工業及多元化電子市場事業部電源管理市場高級工程師胡鳳平認為，功率器件供應緊張的情況將持續到2011年下半年才有望改善。

2005-2010 年間，全球功率半導體市場規模年平均增長率超過15%，隨著全球經濟逐漸回暖，功率半導體市場的增長速度只會更快。近年來，隨著中國經濟的持續發展以及國家在電力、交通及基礎設施的大規模投入，國內功率半導體器件市場發展尤其迅速，在全球市場中所占的份額越來越大，僅大功率半導體器件市場規模就從2005 年不到30億元猛增到2010年超過70億元，占全球市場比例超過40%。中國已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場。

中國功率半導體器件市場容量雖大，但從產品來說，歐美日廠商卻占有絕對優勢地位。落木源電子副總經理陳坷透露，目前國內大功率半導體器件國產化率僅為30%左右。

隨著國內大規模的電網改造、新能源發電、鐵路建設、高速電力機車的普及，以及國家對工業、軍事以及基礎工程的大量投入，給中國本土電力電子事業創造了非常好的機遇。陳坷表示，功率器件水平決定著整個行業的發展水平，不僅在傳統器件上要做到世界領先，在新型大功率器件如IGBT方面也要取得突破，因此，擺在企業面前的任務相當艱巨。

大功率晶閘管和整流模塊由于技術比較成熟，常規產品已經可以做到完全國產化，在這方面國產產品還是有較強的競爭力的。但在一些需要大電流高電壓的領域，國產產品很多還停留在采用進口芯片在國內做后期封裝的水平，發展受到很大制約。

MOSFET 和IGBT 目前國內生產企業基本是采用進口芯片做后期封裝，還沒有真正可以批量商用的具有完全自主知識產權的產品。當然，這也是國家大力支持發展的一個新興領域，目前國內有幾家企業正在投重金研究自有核心技術的產品，相信在未來幾年內會有長足發展。

功率半導體器件驅動控制芯片，這是功率器件可靠運行的重要保障。目前市場絕大部分仍然是進口產品，但國產產品已經帶來比較驚喜的表現。這一部分是與國際領先水平技術差距最小的，在某些方面甚至超過了進口產品。

“實際上，我們現有的產品已經在不少電動汽車廠家進行了功能測試，實驗的結果是功能及電性能方面完全滿足電動汽車的要求，但汽車級電子器件要求工作環境適應性廣，體積更小，這比傳統工業級的要求高了不少。而汽車級器件對成本的要求往往又比較苛刻，因此這對我們確實是一個不小的挑戰。”陳坷說道。

落木源電子的功率器件驅動控制芯片目前主要應用在電機變頻調速、軌道牽引、大功率電源、電焊機等應用領域。其中，大功率IGBT驅動芯片的出貨量已經連續六年增長速度超過60%。陳坷預測，未來的3到5年內，隨著國家政策扶持力度加大，下游產業發展速度還會加快，國產功率器件的前景非常值得期待。