- 耐壓為600V
- 導(dǎo)通電阻為0.4Ω
- 解決可靠性、高溫工藝引起的特性不均等問題
- 變頻器和轉(zhuǎn)換器
羅姆宣布已開發(fā)完成使用SiC的DMOSFET（double-diffusion metal-oxide-semiconductor FET），并已開始量產(chǎn)。計(jì)劃從2010年12月開始量產(chǎn)供貨定制產(chǎn)品，2011年夏季供貨通用產(chǎn)品。計(jì)劃此后花1年左右的時(shí)間在耐壓為600V～1200V、電流為5A～20A的范圍內(nèi)充實(shí)產(chǎn)品。
羅姆過去一直積極致力于SiC的元件開發(fā)。2010年4月已開始量產(chǎn)SiC制肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。羅姆表示，此次通過開發(fā)自主的工藝技術(shù)和篩選法，解決了由SiC結(jié)晶缺陷帶來的可靠性課題和由高溫工藝引起的特性不均等量產(chǎn)SiC制晶體管所面臨的所有問題，成功實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
目標(biāo)是以在空調(diào)、太陽能電池及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品中進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換的變頻器和轉(zhuǎn)換器用途為首，實(shí)現(xiàn)廣泛的應(yīng)用。另外，生產(chǎn)基地方面，晶圓制造在德國SiCrystal AG進(jìn)行，前工序在ROHM APOLLO DEVICE（福岡縣）進(jìn)行，后工序在泰國ROHM Integrated Systems (Thailand)進(jìn)行。
此次已開始量產(chǎn)的產(chǎn)品，耐壓為600V，導(dǎo)通電阻為0.4Ω，導(dǎo)通電阻降至相同耐壓、相同芯片尺寸的Si制DMOSFET的1/10以下。另外，開關(guān)時(shí)間縮短到了低導(dǎo)通電阻的Si制IGBT的約1/5以下。羅姆指出，這樣同時(shí)實(shí)現(xiàn)了Si制元件無法實(shí)現(xiàn)的高速度和低導(dǎo)通電阻。
將具有上述特性的SiC制功率晶體管應(yīng)用于變頻器和轉(zhuǎn)換器等，除可以大幅減少損失外，由于隨著高頻化、周邊部件能夠?qū)崿F(xiàn)小型化，因此還能減小封裝面積和降低周邊部件的成本。另外，羅姆指出與Si制晶體管相比，高溫時(shí)電阻升高得非常少，因此還具有輸出功率高時(shí)導(dǎo)通損失小的優(yōu)點(diǎn)。與現(xiàn)在正銷售的SiC-SBD組合構(gòu)成電源回路，能夠以更低的耗電量，為開發(fā)小型系統(tǒng)做出貢獻(xiàn)。
在此次的量產(chǎn)中，羅姆通過開發(fā)自主的電場(chǎng)緩和構(gòu)造和開發(fā)自主的篩選法確保了可靠性，并通過開發(fā)在SiC特有的高達(dá)1700℃的高溫工藝下抑制特性劣化的技術(shù)等，得以“全球首次”（羅姆）確立SiC晶體管（DMOSFET）的量產(chǎn)體制。
羅姆將SiC元件業(yè)務(wù)定位于新一代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心技術(shù)之一，以強(qiáng)化DMOSFET和SBD的更高耐壓、更大電流產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。另外，羅姆表示，將進(jìn)一步擴(kuò)充配備溝道構(gòu)造MOSFET和SiC元件的IPM（intelligent power module）等SiC關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容，并推進(jìn)產(chǎn)品的量產(chǎn)。
