產品特性：

• 廣泛采用IBM硅鍺技術
• 130納米BiCMOS foundry工藝
• 實時帶寬超過30 GHz

應用范圍：

• 各種高速測試應用

泰克公司日前宣布，其下一代、可擴展、高性能示波器平臺將廣泛采用IBM硅鍺 (SiGe技術，再次證明其致力于幫助全球工程師加速未來設計方案的調試與測試工作。130納米（nm）硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體(BiCMOS) foundry工藝提供了兩倍于前代工藝技術的性能，能幫助推出實時帶寬超過30 GHz的示波器產品。 ) 8HP。

“泰克公司與IBM擁有長期的合作創新歷史，在我們的產品中采用SiGe技術使我們推出了一系列世界級的獲獎儀器，并幫助解決了一些最迫切的客戶挑戰”，泰克公司高性能示波器總經理Brian Reich指出，“出色的SiGe技術性能，加上IBM穩健可靠的SiGe制造實力，這將使我們的下一代示波器采集性能超過30 GHz，從而滿足計算/通信產業不斷發展的客戶需求。” 
 
1998年，IBM 成為首個面向主流制造領域推出硅鍺IC技術的公司。2000年，泰克公司宣布推出TDS7000系列實時示波器，這也是當時速度最快的商用示波器，采用的正是IBM的旗艦SiGe 5HP技術。目前，泰克公司繼續采用IBM業界領先的IC技術，也就是其第四代SiGe 8HP技術。

SiGe半導體采用50年歷史芯片產業中可靠性較高的成熟制造工藝，其性能水平可與磷化銦(InP) 和砷化鎵 (GaAs) 等稀有材料技術相媲美。與其他技術不同的是，SiGe BiCMOS能在與標準CMOS相同的裸片上集成高速雙極晶體管，從而打造出具有超高性能與高集成度的電路系統。正是這種組合優勢使得泰克公司10年來不斷推出特性豐富的高速數據采集系統。

“近15年來，泰克公司同我們的工程師團隊密切合作，全面發揮SiGe技術的潛力”，IBM創新副總裁Bernie Meyerson指出，“SiGe技術能繼續提供新一代高性能測試儀器所需的性能。鑒于SiGe技術的優勢，該技術顯然仍是各種高速測試應用的首選半導體技術。”

預計采用8HP SiGe技術的首批泰克公司產品將于2011年正式推出。