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    后危機時代,傳統電子組件迎來創新與變革

    發布時間:2009-11-17 來源:與非網

    機遇與挑戰:
    • 面向消費電子的各種IC、無源元件、顯示屏、連接器等受創尤為嚴重
    • 分立元件市場面臨的長期威脅仍然來自在硅片基板上的集成基本分立元件的發展趨勢
    • 我國大部分制造用的傳統分立元件來自進口
    相關數據:
    • 中國50多家上市的元件公司的財報顯示,綜合數據顯示2009年第一季度行業的銷售收入同比下降18%
    • 在我國3G移動通信、數字電視、載人航天工程等重大科技項目中,國產分立元件開始嶄露頭角

    日前,在一個典型的電子產品中,IC和分立的傳統元件占全部電子元器件及零部件的生產總成本的約50%和10%,而在總安裝成本中情況恰恰相反,分立元件的安裝成本占據了50%,某些片式元件的管理和安裝成本已經超過其價格。在利潤日趨微薄的電子產品,特別是消費電子產品領域,對傳統分立元件小型化、集成化發展呼聲日益高漲。帶動無源元件消耗量、小型化和集成化的是手機、筆記本電腦和平板電視、智能家電和發展迅猛的個人便攜電子設備,因為這些產品在設計中對電容、電阻、電感、傳感、濾波和脈沖能力的要求越來越高,而產品體積卻越做越小.傳統的三大元件中,目前需求最突出的無源元件將MLCC、厚膜片狀電阻和多層片狀電感。此外,表面貼裝繞線電感、DC膜片狀電容器、氧化鈮電容器、集成化薄膜無源器件、多片電阻陣列、表面貼裝PPTC和NTC熱敏電阻、表面貼裝可變電阻等利潤相對較高的分立元件,也將隨著消費電子、醫療電子向新興應用的延伸獲得集中需求。

    受全球金融危機的影響,整個電子產業的上游企業,從芯片供應商道分立元器件的制造商、分銷商都受到不同程度的影響,面向消費電子的各種IC、無源元件、顯示屏、連接器等受創尤為嚴重。中國50多家上市的元件公司的財報顯示,2008年第四季度和2009年一季度的營收和利潤大幅下降,負增長成為主流,綜合數據顯示2009年第一季度行業的銷售收入同比下降18%,這使得很多公司憂心忡忡。隨著國家4萬億元投資的刺激經濟計劃、3G市場啟動以及家電下鄉等一列政策的落實,2009年第二季度市場開始回暖,第三季全球經濟狀況開始穩定,市場需求不斷釋出,因此營收表現更是發力上揚,很多之前削減庫存的經銷商,開始吃上“天天被追貨”的“苦頭”。受此鼓舞,很多國內業者對2009年及未來的市場發展充滿信心。

    長遠來看,分立元件市場面臨的長期威脅仍然來自在硅片基板上的集成基本分立元件的發展趨勢。早在1996年美國電子機器制造者協會(NEMI)在報告中提出了傳統分立元件將被集成在電路板內的預言。2003年有廠商提出有,可以利用模數轉換器和DSP技術(德州儀器,飛利浦半導體(現在的NXP))實現濾波功能,利用離子植入器件可以把電容器嵌入到硅片結構中,低溫共燒陶瓷(LTCC)模塊中的整合式無源材料,或者FR4模塊(杜邦公司,3M公司)中的整合式無源基板將取代分立無源元件。并在這些年不斷完善這方面技術。不過由于前期生產設備投入大,后期封裝測試成本高,目前還未被市場接受,這些新技術目前在某些專業領域非常興旺,相信隨著技術的不斷完善,它們的市場將繼續不斷增長。

    盡管我國是電子產品的制造出口大國,但是令人尷尬的情況是,大部分制造用的傳統分立元件卻來自進口,本土產品所占市場份額微乎其微。幾乎所有的領先性電子產品中所采用的這類基礎元件基本上完全被日本、韓國和中國臺灣的企業所壟斷。形成這種局面的原因主要在于,由于起步晚,國產分立元件產品主要集中在技術含量較小的中低端領域,因此大量新型電子元器件依靠進口,同時,價格、渠道、服務因素也在很大程度上使得國產電子元件產品缺乏進入整機配套體系的機會。

    這一問題在“十五”期間就得到有關部門的重視,并制定出了具有針對性的提升我國分立元件產業競爭力的發展戰略:以發展新型高端元件為牽引,以關鍵材料為突破口,以提升生產工藝技術為著眼點,將“材料研究-工藝開發-元件生產”相結合。在有關項目的研究基礎上,進一步組織力量,通過產學研相結合,發展新型材料,突破關鍵技術,形成自主知識產權,全面提升我國電子元件產業的產品結構和技術水平。

    重點發展方向:針對無源電子元件高端產品和無源集成的關鍵技術問題:

      ● 能促進量大面廣的分立元件產品升級換代的核心材料;

      ● 具有共性的關鍵元件工藝技術;

      ● 高附加值的高端集成模塊產品。

    經過這些年的發展,已經逐步形成了我國在分立元件高端產品和集成技術方面的自主知識產權;發展出一系列技術指標居國際先進水平新型材料、元件和模塊,及其制程工藝;形成一批具有國際先進水平的片式電子元件成果轉化基地及產業鏈。目前在我國3G移動通信、數字電視、載人航天工程等重大科技項目中,國產分立元件開始嶄露頭角。國家的大規模刺激經濟投入和全球性金融危機使得在分立元件領域,我國有機會拉近與先進國家、地區的技術、市場差距,機遇已經出現在眼前……

    電容技術的延伸:超級電容和電容式觸摸屏

    科技的發展使得一些技術和概念不再局限在傳統領域,新材料、新興市場的發展推動了傳統元件技術向新興領域延伸。比如電容就在很多領域找到了新的定位。

    電容式觸摸屏

    就像Windows的誕生,改變了人機交互的方式,屏幕觸摸技術同樣將人機交互推向一個新的時代。經過多年的發展,電容式觸摸屏技術開始顯示出與眾不同的優勢。

    最早導入觸摸技術的市場是工業控制領域,其目的是將繁復且面積龐大的機械設備控制盤,整合到單一窗口、多重分頁的屏幕上,當時使用的是中大尺寸電阻屏。然而電阻屏的壽命與耐受性不足等缺憾,實在無法滿足工控領域的需求。直到2003年前后,由于電阻屏制造成本降低,開始有小尺寸被應用在PDA、GPS等可攜式產品中,觸摸技術正式進入消費性市場。不過,就消費電子市場而言,電阻屏有很多不盡人意的地方。2006年,采用小尺寸電容式觸摸屏的iPhone問世,蘋果出色的營銷能力加上電容式觸摸屏高品質的光學特性與多點觸摸功能,立刻掀起一陣風潮,成為近年來最受矚目的觸摸技術。

    電容式觸摸技術偵測的信號來自于因觸碰而引起的微量變化。按工作原理的不同,可大略分為表面電容式觸摸技術(SCT)與投射電容式觸摸技術(PCT)。前者常見于大尺寸戶外應用,如公共信息平臺及公共服務平臺(POS機)等產品上,諸如iPhone等小尺寸消費電子設備則大量使用PCT技術。

    與目前市場占有率最高的電阻式觸摸(電阻技術的延伸產物)技術相比,電容式觸摸技術具有多項優點:高達97%的穿透率與更真實的色彩呈現;觸摸功能的實現只需輕觸甚至不必實際與屏接觸;更長的使用壽命,電容屏的觸摸壽命約為兩億次,為四線電阻屏(一百萬次)的兩百倍,五線電阻屏(四千萬次)的五倍。

    iSuppli調查表示,預計2012年全球觸摸板產值將由2006年的24億美元上升到44億美元。目前在這一領域已經云集了100多家制造商和300家裝配公司與輔助機械供應商。其中電容式觸摸板在iPhone的帶動下將會迅速取代其他技術,成為市場主流。
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    超級電容

    所謂超級電容,可以理解為容量超大的電解電容。不過這顆電容的用途與以往大相徑庭,它是被當做電池來使用的。超級電容的容值通常在1F以上,與電路中常見的幾百、幾千uF的電解電容相比,容量足足大了1000倍,工作電壓范圍從1.5V到160V甚至更高。隨著電容值和電壓增加,其體積也會增加。電容值在數十法拉左右的早期超級電容是個大塊頭,主要用于大型電源設備。具有低電壓工作能力的小體積超級電容則常用作消費電子設備中的短期備用電源(比較高端的UPS)。隨著最近技術的進步,將超級電容的工作電壓提高到25Vdc時,體積增加不到一倍,這也意味這顆器件更加優秀的電容屬性。不過超級電容應用并不是一帆風順,早在2006年,上海就有采用超級電容的為電池的公交車投入試運行,不過故障率奇高,一個星期時間7輛車就只剩下2輛還在正常工作,這使得超級電容真正進入汽車市場的腳步被迫放慢。

    經過近些年發展,超級電容的體積越做越小,品質越來越穩定,性能越來越像電池。目前,5F以上的超級電容已經開始應用于許多便攜式和手持式產品中,有些甚至替代了電池。在汽車領域更是發展迅猛,由于充電時間短,電解質材料環保等因素,很多制造商對超級電容作為混合動力汽車的電力能源來源寄予厚望,希望超級電容早日從概念車上轉至通用車輛中。

    近期麻省理工學院實驗室的數據表明,在未來幾年內,超級電容的能量儲存能力將出現質的飛躍。目前的超級電容產品放電速度是傳統電池的10倍,而能量儲存能力在體積相同的條件下則只有后者的50%。這一不利局面將在未來幾年內得到扭轉。屆時,超級電容將真正進入一個更為廣闊的應用領域。

    隱藏在電路中多年的第四類元件——憶阻器

    兩篇時隔三十七年的論文

    基礎電子學教科書列出了三種基本的電路元件:電阻器、電容器和電感器。現在隨著第四類元件的發現與證實,傳統的觀念正在發生轉變。

    早在1971年,美國加州大學伯克利分校的華裔科學家蔡少棠教授就發表了題為《憶阻器:下落不明的電路元件》的論文,論文指出,除電容、電感和電阻之外,電路中還應該存在第四種基本元件——憶阻器。這篇論文提供了憶阻器的原始理論架構,推測電路有天然的記憶能力,即使電力中斷亦然。概括來說,憶阻器是一種有記憶功能的非線性電阻。通過控制電流的變化可改變其阻值,如果把高阻值定義為“1”,低阻值定義為“0”,則這種電阻就可以實現存儲數據的功能。不過這一發現在當時并未引起重視。因此,就像這篇論文的標題一樣很快就“下落不明”了。

    一隔近40年,憶阻器的存在一直無人去證實。直到去年,來自惠普實驗室下屬的信息和量子系統實驗室的4位研究人員,證實了憶阻現象在納米尺度的電子系統中確實是天然存在的,他們以《尋獲下落不明的憶阻器》為論文標題來呼應蔡教授的預測。在這樣的系統中,固態電子和離子運輸在一個外加偏置電壓下是耦合在一起的。這一發現可幫助解釋過去50年來在電子裝置中所觀察到的明顯異常的回滯電流—電壓行為的很多例子。

    研究人員表示,憶阻器器件的最有趣特征是它可以記憶流經它的電荷數量。蔡教授原先的想法是:憶阻器的電阻取決于多少電荷經過了這個器件。讓電荷以一個方向流過,電阻會增加;如果讓電荷以反向流動,電阻就會減小。簡單地說,這種器件在任一時刻的電阻是時間的函數———或多少電荷向前或向后經過了它。這一簡單想法的被證實,將對信息技術科學產生深遠的影響。

    憶阻器將變革存儲方式

    科學家指出,只有在納米尺度上,憶阻的工作狀態才可以被察覺到。憶阻器最簡單的應用就是構造新型的非易失性隨機存儲器,或當計算機關閉后不會忘記它們曾經所處的能量狀態的存儲芯片。電腦會回到你關閉時的相同狀態。同樣原理,憶阻器可讓手機在使用數周或更久時間后無需充電,也可使筆記本電腦在電池電量耗盡后很久仍能保存信息。憶阻器也有望挑戰目前數碼設備中普遍使用的閃存,因為它具有關閉電源后仍可以保存信息的能力。利用這項新發現制成的芯片,將比目前的閃存更快地保存信息,消耗更少的電力,占用更少的空間。概括一下憶阻器的應用前景:如果憶阻器夠快,那么DRAM、Flash進博物館;如果憶阻器成本夠低,那么溫徹斯特硬盤就得進博物館。
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