- 8月20日，2009中國半導(dǎo)體分立器件市場年會在深圳召開
- 年會對GaN HEMT 微波毫米波器件與電路的新進展情況進行了分析
- GaN HEMT 微波毫米波處于科研向工程化轉(zhuǎn)化時期
- GaN HEMT 微波毫米波2010年將進入軍民用系統(tǒng)中
8月20日，深圳，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦，分立器件分會、華強電子網(wǎng)等聯(lián)合承辦的“2009中國半導(dǎo)體分立器件市場年會”上，中國電子科技集團公司趙正平副總經(jīng)理對GaN HEMT 微波毫米波器件與電路的新進展情況進行了分析。據(jù)趙總介紹，從上世紀九十年代中期誕生至今近，GaN HEMT在微波毫米波領(lǐng)域有了突破性進展，目前正處于從科研向工程化轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵時期。由于其高的擊穿場強，高電子飽和速度，高的兩維電子氣濃度，SiC襯底的高熱導(dǎo)率，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si、GaAs微波器件提高了十倍以上。小柵寬GaN HEMT器件在4GHz下，功率密度達到40w/mm；8GHz30w/mm；18GHz；9.1w/mm；40GHz;10.5w/mm；80.5GHz；2.1w/mm。其高頻特性：30nm柵長的GaN MIS-HFET的fT達到180 GHz；100nm柵長并具有背勢壘結(jié)構(gòu)的GaN HEMT的fmax達到230GHz。在通訊雷達應(yīng)用研究中，大柵寬GaN HEMT器件以及由其構(gòu)成的功率放大器的性能也取得突破。在L波段輸出脈沖功率達500W，在S波段脈沖功率達800W，在C波段脈沖功率達220W；在X波段達250W，在Ku波段SSPA連續(xù)波功率達120W，在26GHz連續(xù)波輸出功率達20W。在GaN HEMT可靠性穩(wěn)定性研究中，攻克了由缺陷引起的漏電流崩塌效應(yīng)，柵漏電引起的短期失效機理以及主要由柵下漏邊緣高電場導(dǎo)致的逆壓電效應(yīng)引起的長期不穩(wěn)定機理等難題，交流穩(wěn)定性有很大提高。由加速壽命試驗評估的壽命已大于106小時。預(yù)期2010年GaN HEMT將在軍民用系統(tǒng)中獲得應(yīng)用。
在本次會議上，全國200多位行業(yè)主管部門領(lǐng)導(dǎo)、專家及業(yè)界代表匯聚深圳，緊緊圍繞金融危機下中國半導(dǎo)體分立器件市場機遇及趨勢，分立器件新技術(shù)新工藝的發(fā)展，新型分立器件在汽車電子、節(jié)能照明等領(lǐng)域的應(yīng)用前景進行了深入探討。工業(yè)和信息化部電子信息司丁文武副司長、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會徐小田秘書長、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會趙小寧秘書長、中國科學(xué)院許居衍院士等領(lǐng)導(dǎo)、專家出席了本次會議并發(fā)言。
