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    S-Rin系列:士蘭微電子新一代高壓VDMOS

    發布時間:2009-06-02

    產品特性:
    • 工作電壓可以覆蓋400V—900V區間
    • 可兼容多晶穩壓管結構
    • 高可靠性,高效率,高EAS能力
    • 導通電阻低,動態參數優
    • 具有相對較小的芯片面積
    應用范圍: 杭州士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產品——S-RinTM系列高壓VDMOS。這是士蘭微電子歷經多年的自主研發所推出的第三代高壓MOSFET產品。相比較于前兩代的產品,S-RinTM系列高壓VDMOS產品性能更加優越,工作電壓可以覆蓋400V—900V區間,可以兼容多晶穩壓管結構以提高ESD特性;具有高可靠性,高效率,高EAS能力,導通電阻低,動態參數優等特點,已被廣泛應用于AC-DC功率電源,DC-DC轉換器以及PWM馬達驅動等領域。

    S-RinTM產品采用了條形元胞結構,并優化了元胞的工藝及設計尺寸。相對于采用其他結構元胞的器件,在EAS能力方面具有較大的優勢;此外,由于采用了尺寸較小的GR環作為其保護環,這樣在相同規格的條件下,S-RinTM產品就具有相對較小的芯片面積,這一優勢能有效降低成本,增加芯片的利用效率。

    該系列產品優化了柵氧化層的厚度和工藝質量,提高了柵源擊穿電壓,從而提高了可靠性指標,并改善了器件的易損性;其突出表現在于對IDSS漏電的控制。與其他公司同類型的產品相比,S-RinTM產品在經過HTRB可靠性試驗后,IDSS仍然可以維持在幾納安到十幾納安非常小的水平,且相對試驗前,基本不會增大,這就在很大程度上保證了器件在長時間工作之后,不會因為漏電增大失效而影響其正常使用。

    此外,S-RinTM產品通過在工藝上對N-JFET的調整,減小JFET效應,使得器件的導通電阻減小,從而降低了器件工作時的溫升,提高了AC-DC系統的轉換效率。對多晶柵進行了重摻雜處理,以提高器件的響應速度,從而使該系列產品在動態參數方面表現出了一定的優勢。
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