【圖1. 對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處施加輸入電壓。】

 

圖1顯示了快速和慢速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換會(huì)給鄰近電路段產(chǎn)生更強(qiáng)的干擾耦合。存在電壓突變的PCB走線可與具有高阻抗的鄰近走線產(chǎn)生容性耦合。存在電流突變的PCB走線可與鄰近走線產(chǎn)生電感耦合。通過(guò)減慢開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，可將這些影響降至最低。圖2顯示了一種經(jīng)驗(yàn)證適用于異步開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的技術(shù)。此處，兩個(gè)開(kāi)關(guān)中的一個(gè)使用了肖特基二極管。將電阻與自舉電容CBOOT（提供高邊n溝道MOSFET的柵極電壓）串聯(lián)，可減慢開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。當(dāng)無(wú)法直接調(diào)整功率MOSFET的柵極信號(hào)線時(shí)，此技巧可用于集成開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。如果將開(kāi)關(guān)控制器與外部MOSFET配合使用，也可將電阻插入柵極驅(qū)動(dòng)走線中。電阻值通常小于100Q。

 

【圖2. 使用自舉電阻減慢異步降壓轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。】

 

但是，大多數(shù)現(xiàn)代開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器都是具有高邊和低邊有源開(kāi)關(guān)的同步開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。此處，在CBOOT路徑中使用電阻無(wú)法明顯減慢開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。如果此處還是使用與CBOOT串聯(lián)的電阻（如圖3所示），則也將減慢高邊開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。但是，這可能導(dǎo)致低邊開(kāi)關(guān)沒(méi)有完全關(guān)閉。因此，高邊開(kāi)關(guān)和低邊開(kāi)關(guān)可能同時(shí)瞬間打開(kāi)。這將導(dǎo)致輸入電壓到接地之間出現(xiàn)破壞性短路。這一點(diǎn)尤為關(guān)鍵，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速度也受到工作溫度等參數(shù)和半導(dǎo)體制造中的可變性的影響。因此，即使是在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試，也無(wú)法保證安全操作。要減慢具有集成開(kāi)關(guān)的同步開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，應(yīng)使用可通過(guò)內(nèi)部電路直接設(shè)置開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速度的同步開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器，例如ADI的ADP5014。在這些集成電路中，可在內(nèi)部確保：在減慢開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)，兩個(gè)開(kāi)關(guān)不同時(shí)導(dǎo)通，因此也不會(huì)發(fā)生短路，并且在CBOOT路徑中都沒(méi)有電阻。

 

【圖3. 由于高端開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換減慢而可能短路的同步降壓轉(zhuǎn)換器。】

 

 

關(guān)于快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，近年來(lái)有一個(gè)非常重要的創(chuàng)新不容忽視。ADI的Silent Switcher技術(shù)使快速開(kāi)關(guān)邊沿的電磁輻射大幅降低，高達(dá)40dB（10,000倍）。因此。可開(kāi)發(fā)出具有超快邊沿且僅有最小EMC問(wèn)題的開(kāi)關(guān)模式電源。在大多數(shù)情況下，Silent Switcher器件無(wú)需為了減少EMI而降低開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速度。通過(guò)Silent Switcher技術(shù)，在很大程度上消除了在最大轉(zhuǎn)換效率和最小電磁干擾之間進(jìn)行權(quán)衡的難題。

 

 

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