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氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺(tái)達(dá)電子篇
從臺(tái)達(dá)電子的上述專利來(lái)看，其采用的專利布局策略是基于一個(gè)大的電路結(jié)構(gòu)框架，在各個(gè)具體的擴(kuò)展電路上去改進(jìn)，以專利族1為代表，這種方式可以使得這些專利作為同族專利共同享有同一個(gè)最早優(yōu)先權(quán)，另外也能彌補(bǔ)單個(gè)專利說明書內(nèi)容不夠豐富的缺陷，便于專利在審查中的修改。這種專利布局方式在很多公...
2023-01-10
氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng) RC負(fù)偏壓 臺(tái)達(dá)電子
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低于1mΩ電阻兼具電流檢測(cè)優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
你是否曾經(jīng)將新的設(shè)計(jì)或元器件方案視為一種改進(jìn)的有益的替代方案，但后來(lái)卻發(fā)現(xiàn)它也有出乎意料的缺點(diǎn)？這些負(fù)面因素是你可以做更多的功課來(lái)預(yù)估并更有效評(píng)估的？還是故意或只是由于情況復(fù)雜而被埋得很深的？
2023-01-09
電阻 電流檢測(cè)
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CAN總線接口保護(hù)電路設(shè)計(jì)指南
CAN總線的應(yīng)用范圍廣，應(yīng)用環(huán)境相當(dāng)復(fù)雜，一些靜電、浪涌等干擾很容易耦合到總線上，并直接作用于CAN總線接口。為了滿足一些高等級(jí)EMC的要求，有必要添加額外的外圍保護(hù)電路。
2023-01-06
CAN總線 接口保護(hù) 電路設(shè)計(jì)
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詳解變頻器的5種控制方式
變頻器是把工頻電源(50Hz或60Hz)變換成各種頻率的交流電源，以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的變速運(yùn)行的設(shè)備，其中控制電路完成對(duì)主電路的控制，整流電路將交流電變換成直流電，直流中間電路對(duì)整流電路的輸出進(jìn)行平滑濾波，逆變電路將直流電再逆成交流電。
2023-01-05
變頻器 控制方式
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如何優(yōu)化開關(guān)穩(wěn)壓器中控制算法的使用
在本應(yīng)用筆記中，我們將研究開關(guān)穩(wěn)壓器的三種基本控制算法。我們將討論每種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，并就正確的環(huán)路補(bǔ)償策略提供指導(dǎo)，以獲得快速穩(wěn)定的響應(yīng)。
2023-01-05
開關(guān)穩(wěn)壓器 算法
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穩(wěn)壓器電路仿真電路設(shè)計(jì)怎么發(fā)現(xiàn)問題？
每個(gè)新的電子設(shè)備都需要某種程度的功率調(diào)節(jié)。無(wú)論新產(chǎn)品是依靠電池，外部電源還是交流電源運(yùn)行，都需要為新系統(tǒng)設(shè)計(jì)一種調(diào)節(jié)策略。這可能涉及多個(gè)功率調(diào)節(jié)電路，通常帶有反饋以提供高效功率轉(zhuǎn)換。您可能需要各種支持組件和功能，以幫助您調(diào)節(jié)功率輸出，尤其是在系統(tǒng)以高功率運(yùn)行時(shí)。
2023-01-04
穩(wěn)壓器電路 仿真電路設(shè)計(jì)
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六種常見的DC－DC升壓電路
電路中變壓器T可用晶體管收音機(jī)用的502型音頻輸出變壓器，次級(jí)作為升壓變壓器的初級(jí)，初級(jí)中間的抽頭不用，兩端抽頭作為升壓變壓器的次級(jí)。如果找不到合適的變壓器，也可以用收音機(jī)輸人輸出變壓器的硅鋼片自制，初級(jí)用直徑為0.25mm的高強(qiáng)度漆包線繞110匝，次級(jí)用直徑0.21mm的高強(qiáng)度漆包線繞520匝。...
2023-01-04
DC－DC升壓電路
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開關(guān)電源中的安規(guī)電容
這個(gè)器件的種類，可以通過查看它上面的銘文來(lái)確定。?可以看到上面的標(biāo)識(shí)符為JNC， JY102M。?通過網(wǎng)絡(luò)查找該型號(hào)器件，?可以知道它屬于安規(guī)電容。?它的容量為1000pF，?耐壓為400V。?至于什么是“安規(guī)電容”，可以通過網(wǎng)絡(luò)查到相應(yīng)的說明。??在這里就不再重復(fù)了。?總之，在這里它就是一個(gè)電容器件。
2022-12-30
開關(guān)電源 安規(guī)電容
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為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來(lái)維持驅(qū)動(dòng)電流，鐵電體正在接受認(rèn)真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲(chǔ)器，填補(bǔ) DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實(shí)上，用于存儲(chǔ)器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設(shè)備會(huì)議的兩個(gè)亮點(diǎn)。
2022-12-30
FeFET 鐵電體 存儲(chǔ)器
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