自舉電路設計很巧妙，簡單好用，但能夠正常運轉，需要注意一系列問題：

• 系統啟動時，要保證先開通半橋的下橋臂IGBT，這樣自舉電容能夠被充電到上橋臂所需的驅動電壓的額定值。否則可能會導致不受控制的開關狀態和/或錯誤產生。

• 自舉電容器C1的容量必須足夠大，這樣可以在一個完整的工作循環內滿足上部驅動器的能量要求。

• 自舉電容器的電壓不能低于最小值，否則就會出現低壓閉鎖保護。

• 最初給自舉電容器充電時,可能出現很大的峰值電流。這可能會干擾其他電路。因此建議用個小電阻Rb來限制電流。

• 一方面，自舉二極管必須快，因為它工作的頻率和IGBT是一樣的，一般用超快恢復二極管，如果功率器件是SiCMOS話這個二極管可能需要SiC二極管；另一方面，它必須有足夠大的耐壓，至少和IGBT的阻斷電壓一樣大。這就意味著，600V/1200V的IGBT，就必須選擇600V/1200V的自舉二極管。在選擇二極管的時候，考慮到其額定電壓和開關頻率，二極管的封裝必須保證足夠大的電氣間隙和爬電距離。

• 當選擇驅動電源電壓時，要考慮自舉電路的損耗，必須考慮驅動器內部電壓降以及自舉二極管VDb和電阻Rb的壓降，還必須減去下橋臂IGBT VT2的飽和電壓。最終的自舉電壓要保證上管IGBT柵極電壓不能太低而導致開通損耗增加（因為電壓UCEsat增加）。

• 上下驅動器的供電電壓都是USupply。然而，上橋臂驅動器的供電電壓需要減去上文提到的電壓，這樣導致上橋臂的IGBT VT1驅動電壓總是要比下橋臂VT2要低，是在不同的正向柵極電壓下開通的。因此，電壓USupply選取應當保證VT1有足夠的柵極電壓，并且同時VT2的柵極電壓也不會變得太高。

• 對于自舉電容器，應該選用低等效串聯電阻ESR和等效串聯電感ESL的電容器(比如陶瓷電容)，這樣可以有效為驅動提供脈沖電流。根據需要和應用環境，也可以選用高容量的電容(比如電解電容)與這些電容并聯使用。相比陶瓷電容，電解電容具有更高的ESR和ESL值，所以建議并聯陶瓷電容。通常，這一設計原則也適用于下橋臂驅動器的緩沖電容C2。

• 用自舉電路來提供負電壓的做法是不常見的，如此一來，就必須注意IGBT的寄生導通了(密勒鉗位可以防止寄生導通,參考《驅動電路設計（三）---驅動器的功能---電源》)。