【導(dǎo)讀】在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢是由各種應(yīng)用中對提高效率和功率密度的需求所推動的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強大的解決方案來滿足這些需求。
在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢是由各種應(yīng)用中對提高效率和功率密度的需求所推動的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強大的解決方案來滿足這些需求。
在工業(yè)環(huán)境中，內(nèi)部電壓軌也在向上發(fā)展。這些更高的電壓對于在電機驅(qū)動、壓縮機和大型HVAC系統(tǒng)等應(yīng)用中提供更高功率至關(guān)重要。
新興經(jīng)濟體的消費者和工業(yè)部門快速增長，面臨電網(wǎng)不穩(wěn)定的挑戰(zhàn)。電壓波動和線路膨脹（經(jīng)常由于老化基礎(chǔ)設(shè)施而加劇）對電子系統(tǒng)構(gòu)成了重大威脅。
硅器件在高壓環(huán)境中的挑戰(zhàn)
所有功率器件都有定義的操作限制。例如，725 V的硅MOSFET通常可以安全工作到650 V，并降額到725 V。長期暴露在高于725 V的電壓下會導(dǎo)致雪崩擊穿，導(dǎo)致局部加熱和潛在的結(jié)構(gòu)損壞。電壓尖峰（如閃電襲擊或電源接線錯誤）和電網(wǎng)不穩(wěn)定導(dǎo)致的線路膨脹可以將這些器件推向極限，導(dǎo)致災(zāi)難性故障。
PowiGaN技術(shù)在高壓應(yīng)用中的優(yōu)勢
相比之下，PowiGaN器件不表現(xiàn)出硅器件固有的雪崩擊穿機制。它們的內(nèi)部級聯(lián)結(jié)構(gòu)和高擊穿電壓（通常是額定電壓的兩倍以上）使它們能夠承受高電壓尖峰和長期的線路膨脹。這些器件在電壓尖峰期間會暫時增加電阻，稍微降低效率，但能迅速恢復(fù)而不會對性能產(chǎn)生明顯影響。即使在多個尖峰事件或長期膨脹下，PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不會退化。
PowiGaN在未來高壓應(yīng)用中的作用
Power Integrations最近推出的1250 V PowiGaN器件標(biāo)志著一個重要的進步。該器件允許1000 V的操作峰值并具有顯著的降額，提供了對電網(wǎng)不穩(wěn)定和電力干擾的強大保護。這些器件現(xiàn)在正在進入傳統(tǒng)上由碳化硅（SiC）器件主導(dǎo)的領(lǐng)域，擴大了它們的應(yīng)用范圍。
總之，在當(dāng)前市場中，PowiGaN技術(shù)在面對電網(wǎng)不穩(wěn)定時具有顯著優(yōu)勢。它確保在不斷擴大的消費市場中提供高質(zhì)量、可靠的產(chǎn)品。此外，PowiGaN的強大級聯(lián)結(jié)構(gòu)和更高電壓應(yīng)用的潛力使其成為未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵參與者。
文章來源：PI電源芯片
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