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    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品

    發(fā)布時間:2023-07-04 責(zé)任編輯:lina

    【導(dǎo)讀】功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而,在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時,功率MOSFET需要作為常“開”開關(guān)運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET,稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。


    功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而,在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時,功率MOSFET需要作為常“開”開關(guān)運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET,稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。

    增強型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別

    第一個主要的區(qū)別是增強型(EM)和耗盡型(DM)器件的電路圖示,如圖1所示。EM器件在VGS=0V時沒有導(dǎo)通,而在達到柵極到源極閾值電壓VGS(th)開始導(dǎo)通。相反地,DM器件的通道在VGS=0V時是完全導(dǎo)通的。對于EM器件,當(dāng)VGS>VGS(th)時,漏極電流ID增加。對于DM器件,則當(dāng)VGS>0時電流增加;EM器件在VGS


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖1:增強型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別


    在某些應(yīng)用中,增強型EM器件不能取代耗盡型DM器件,因為它們在零柵極電壓VGS截止。此外,在一些涉及耗盡型MOSFET器件的應(yīng)用中,根本不需要使用柵極驅(qū)動電路,因為柵極從應(yīng)用電路中獲得了偏壓。借助耗盡型MOSFET的線性型工作能力,可以節(jié)省整體系統(tǒng)成本,同時減低復(fù)雜性并提高可靠性。

    耗盡型MOSFET產(chǎn)品

    Littelfuse耗盡型功率MOSFET采用垂直雙擴散MOSFET(DMOSFET)的結(jié)構(gòu)。所有這些器件都能工作在線性型下,這要歸功于擴展的正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA),因而在終端應(yīng)用中具有較高的可靠性[1][2]。Littelfuse耗盡型MOSFET有Depletion D、Depletion D2和Depletion CPC產(chǎn)品系列[4],圖2概述多樣化的耗盡型(DM)產(chǎn)品組合。


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖2:Littelfuse耗盡型MOSFET產(chǎn)品組合


    與EM器件不同,DM器件并不用于高頻應(yīng)用。通常,除了線性MOSFET之外,EM器件不能夠工作在線性型[1];然而,所有D系列和D2系列DM器件均具有擴展的FBSOA,因此能夠工作在線性型。目前正在開發(fā)額定電壓為2500V的高壓耗盡型MOSFET產(chǎn)品。高壓(HV)測試設(shè)備、電源、斜坡信號發(fā)生器、絕緣電阻測試設(shè)備或高壓輸電系統(tǒng)的輔助電源等應(yīng)用,都需要使用這類耗盡型MOSFET器件。圖3說明Littelfuse耗盡型MOSFET在市場上占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖3:Littelfuse耗盡型MOSFET具有市場領(lǐng)導(dǎo)地位


    耗盡型功率MOSFET的應(yīng)用

    以下是獨特適合耗盡型MOSFET產(chǎn)品的應(yīng)用[3]。

    1. 開關(guān)型電源的啟動電路 - SMPS

    SMPS傳統(tǒng)啟動電路方法是通過功率電阻和齊納二極管。在這種方法中,即使在啟動階段之后,功率電阻也會持續(xù)消耗功率,這導(dǎo)致PCB上的熱量過高,工作效率低下,以及SMPS輸入工作電壓范圍受到限制。可以采用基于耗盡型MOSFET的方法來替代,如圖4所示。耗盡型MOSFET提供PWM IC所需的初始電流以啟動運作。在啟動階段之后,輔助繞組將生成PWM IC所需的功率。在正常運行期間,耗盡型MOSFET由于靜態(tài)電流較低,因而所消耗的功率最少。這種方法的主要優(yōu)勢是在啟動序列操作之后的功耗理論值為零,從而提高了整體效率。此外,所占用的PCB面積更小,并可實現(xiàn)寬泛的直流輸入電壓范圍,這對許多應(yīng)用(如太陽能逆變器)是至關(guān)重要的。


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖4:用于SMPS啟動電路的耗盡型MOSFET


    2. 線性電壓調(diào)節(jié)器的浪涌保護

    線性電壓調(diào)節(jié)器為小型模擬電路、CMOS IC或其他任何需要低電流的負載提供電源,其輸入電壓Vin直接來自母線電壓。這可能出現(xiàn)很大的電壓變化,包括由于應(yīng)用環(huán)境造成的電壓尖峰。如圖5所示,耗盡型MOSFET可用于在線性電壓調(diào)節(jié)器電路中實施浪涌保護。這種MOSFET采用源極跟隨器配置連接。源極上的電壓將跟隨柵極上的電壓變化。耗盡型MOSFET的導(dǎo)通僅僅取決于柵極電壓,而與漏極電壓無關(guān)。這種配置用于減少電壓瞬變,直至達到器件額定電壓VDS耐受能力。基于耗盡型MOSFET解決方案的優(yōu)點是具有寬泛的直流工作電壓范圍Vin,以及借助MOSFET低靜態(tài)電流而實現(xiàn)的最小功耗。這種保護功能可用于通信應(yīng)用,以減少浪涌造成的瞬變影響。也可用于汽車和航空電子應(yīng)用,以減少由電感負載引起的瞬變。


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖5:使用耗盡型MOSFET的浪涌保護電路


    3. 恒流源

    耗盡型MOSFET可用于實現(xiàn)恒流源,如圖6所示。它根據(jù)電阻R值和柵極截止電壓VGS(off)而向負載提供恒定的電流。因此,電流ID與電壓Vin無關(guān)。這個電流相當(dāng)于IDVGSoffR。這樣的電流源可以在LED陣列驅(qū)動器、涓流充電電路中使用,以維持監(jiān)控系統(tǒng)的電池電量,或者以恒流方式為電容器充電。


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖6:使用耗盡型MOSFET的恒流源


    4. 高壓斜坡信號發(fā)生器

    自動測試設(shè)備等應(yīng)用需要在輸出電壓和時間之間保持線性關(guān)系的高壓斜坡。可以配置耗盡型MOSFET來設(shè)計高壓斜坡發(fā)生器,如圖7所示。恒流源通過電阻R1給電容C充電,并產(chǎn)生電壓斜坡,即電容上的Vout。可以通過控制信號開啟線性MOSFET,以重置斜坡電壓,可通過電阻R2將電容器放電至零。電阻R2用于限制線性MOSFET的放電電流,使其在SOA額定范圍內(nèi)工作。


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖7:使用耗盡型MOSFET的高壓斜坡發(fā)生器


    5. 高壓保護電路

    耗盡型MOSFET可用于保護測量儀器,防止因測量探頭意外連接到高壓Vmeas而造成的破壞性高壓(圖8)。在這種情況下,采用背對背配置的MOSFET S1和S2將通過限制電流來保護儀器。這將對探頭上的正電壓和負電壓提供保護。這種電路可用于臺式或手持式儀器。


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖8:使用耗盡型MOSFET的高壓保護電路


    6. 固態(tài)繼電器

    如圖9所示,耗盡型MOSFET在實現(xiàn)以固態(tài)繼電器(SSR)取代機械繼電器(EMR)的負載開關(guān)方面表現(xiàn)出色。固態(tài)繼電器的主要優(yōu)點是不受磁場影響,由于沒有機械觸點而具有更高的可靠性,并且節(jié)省了PCB占用空間。醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動化、測量和測試設(shè)備以及消費電子等應(yīng)用都廣泛使用固態(tài)繼電器。


    耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
    圖9:使用耗盡型MOSFET的固態(tài)繼電器


    結(jié)論

    要求在柵極電壓為零時有電流的應(yīng)用,均可以使用耗盡型MOSFET。盡管這些器件有許多實際應(yīng)用,但幾乎被人們忽略。Littelfuse提供最廣泛的從60V到1700V電壓范圍的產(chǎn)品系列,我們是唯一一家提供大電流耗盡型MOSFET器件的制造商。本文所講述的應(yīng)用,將幫助設(shè)計人員在各種工業(yè)應(yīng)用中選擇使用這些器件以提高效率并增加系統(tǒng)的可靠性。


    免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進行處理。


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