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    Diodes推出三款小信號MOSFET 豐富超小型分立器件產品系列

    發(fā)布時間:2015-02-13 責任編輯:susan

    【導讀】近日,Diodes公司為空間要求嚴格的產品設計新推出的三款小信號MOSFET,微型場效應晶體管能節(jié)省40%空間。新推出的產品包括了20V和30V額定值的N通道晶體管,以及30V額定值的P通道器件,產品全都采用了DFN0606微型封裝。
     
    DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ (30V nMOS通道) 和 DMP32D9UFZ (30V pMOS通道) 能夠提供與大多數大型封裝器件相同甚至更優(yōu)的電氣性能。新產品旨在盡量降低導通電阻,并同時維持卓越的開關性能。此外,器件的典型閾值電壓低於1V,這種低開啟電壓非常適合單電池工作模式。
     
    全新微型MOSFET非常適合用于高效率功率管理,還可作為通用介面及簡單的模擬開關。這些DFN0606封裝器件的功耗達到300mW,使電路功率密度得以提升。
     
    每個器件的電路板占位面積僅0.6mm x 0.6mm, 比一般采用DFN1006 (SOT883) 封裝的MOSFET小40%,是下一代可穿戴科技產品、平板電腦及智能手機的理想之選。

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