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    安森美半導體專家分享ESD保護的先進技術

    發布時間:2008-11-04

    新聞事件:

    • 安森美半導體專家在第七屆靜電放電保護技術研討會上分享ESD保護的先進技術

    專家觀點:

    • 所有IC都必須通過測試來檢測是否能使元件免受ESD的損害
    • 業界應進一步探究CDM與元件封裝尺寸之間的關系
    • 制造領域,廠商應隨時提高警覺并改進元件的輸送傳遞
    • 系統層級的ESD保護上,應該從產品著手的重要性
    • 必須同時針對成本、技術以及客戶本身的需求進行全盤考慮ESD保護問題

    安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術研討會上,針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失,從元件、制造和系統三個層級的技術面加以探討,為業界提供實質建議。要有效降低ESD所帶來的損害,除了可選擇在制程中直接控制ESD之外,也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長期投入于研發ESD保護技術,通過先進的ESD保護技術和完整的產品系列,使電子元件具備優異的電路保護性能。

    ESD是整個電子產業共同面臨的問題,影響相當廣泛,包括生產、封裝、測試、以及搬運等每個環節都會受到ESD的影響,靜電往往會累積在人體、儀器和存放設備當中,甚至電子元件本身也會累積靜電。因此所有IC都必須通過測試來檢測是否能使元件免受ESD的損害,這些測試標準包括人體放電靜電模式 (Human Body Model;HBM)、機器放電模式 (Machine Model;MM),以及與集成電路(IC)封裝大小關系密切的元件充電模式 (Charged Device Model;CDM)。

    安森美半導體ESD分立產品部的資深專家Robert Ashton博士,在今日的靜電放電保護技術研討會中,特別針對如何配置資源以保護ESD發表演說。Robert Ashton認為,ESD的影響廣泛,但不代表必須針對制造與設計流程,均勻的分配資源來防范ESD的影響。事實上在元件層級的ESD保護上,耗費過多資源只為使IC通過HBM和CDM測試標準,并非明智之舉,尤其是業界應進一步探究CDM與元件封裝尺寸之間的關系。而在制造領域,廠商應隨時提高警覺并改進元件的輸送傳遞;Charged Board Event (CBE) 事件測試,可作為一個實用的測試工具,但不應發展成IC品質管理測試。

    在系統層級的ESD保護上,Robert Ashton強調從產品著手的重要性,他說:“ESD的控制對便攜產品來說,是必需品,不是選項,業界必須投入更多努力,讓電子元件更具備抵抗ESD的條件。目前最受國際間多數國家認同的靜電測試規范是 IEC 61000-4-2,國際組織ESDA(靜電放電保護工程學會)正著手推展和這個測試規范相關的工作,我們期待能盡快看到成熟且穩定一貫的測試方案。”
    Robert Ashton說:“IC設計人員應努力為系統開發完善的ESD保護機制,最重要的是當我們在探討究竟應配置更多的資源于ESD控制,或是設法讓電子元件和系統更能抵擋ESD時,必須同時針對成本、技術以及客戶本身的需求進行全盤考慮。”

    安森美半導體在ESD保護技術上已耕耘多年,陸續開發出先進且完整的產品系列,例如領先業界的ESD7L5.0D和NUP4212,能夠將15千伏(kV)的輸入ESD波形在數納秒(ns)內使鉗位低于7伏(V),提供最高水平的保護;而NUP4016與ESD11L5.0D用于便攜裝置高速數據線路保護,采用獲得專利的先進集成ESD保護平臺,在增強鉗位性能的同時,還能維持超低電容和極小裸片尺寸。安森美半導體的ESD保護元件系列持續領先業界,不但因應客戶需求而設計,而且沒有無源技術的磨損問題,所以即使經過ESD的多次浪涌,其可靠性與性能仍不受影響。
     

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