中心議題：
- TVS器件為正向和反向電壓不超過額定范圍提供保護
- 介紹基本二極管的性質
解決方案：
- 多個二極管以確保多路信號線受同一個瞬態(tài)電壓抑制器的保護
- 通過二極管的電流很小，它的導通電壓的范圍會比較大
- 摻雜濃度高的PN結，其雪崩擊穿的觸發(fā)電壓更低
基于雪崩二極管和穩(wěn)壓二極管的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)專為傳輸更大的負載電流和承受更高的擊穿電壓而優(yōu)化。瞬態(tài)電壓抑制器設計了多個二極管以確保多路信號線受同一個瞬態(tài)電壓抑制器的保護。二極管是由半導體硅組成的，即P型摻雜的硅和N型摻雜的硅形成的PN結。TVS器件為正向和反向電壓不超過額定范圍提供保護。基本二極管的性質將在下面討論
圖1 突變PN節(jié)示意圖
二極管的特性可以通過如圖1所示的突變型PN結來做深入理解。考慮到兩片硅材料，一片是重摻了施主雜質的n+硅，一片是輕摻了受主雜質的p硅。如圖1a所示那樣我們在x=0處將它們結合。n+區(qū)域電子密度等于施主雜質的數(shù)目，而P區(qū)域認為空穴密度等于受主雜質濃度，但這種靜態(tài)情況將不會持續(xù)。在PN結邊界處電子將和空穴重新結合，結果是導致在PN結連接處的區(qū)域電子和空隙全被耗空。這就是圖1b所示的耗盡層，或者說是零載流子濃度區(qū)域。在這個連接處區(qū)域隨著載流子濃度的耗盡就成為靜電荷區(qū)域，如圖1c。在橫坐標零點左邊，由于電子和右邊的空穴中和從而只剩下帶正電的靜電荷；在零點右邊，由于空穴和左邊的電子中和從而只剩下帶負電的靜電荷。在PN結連接處的兩邊耗盡區(qū)的寬度依賴于兩邊施主雜質和受主雜質各自的摻雜濃度。有個物理現(xiàn)象是PN結耗盡區(qū)總的正電荷數(shù)和負電荷數(shù)一樣，所以PN總體還是呈現(xiàn)不帶電狀態(tài)。 PN結連接處摻雜濃度高的一邊的耗盡層寬度比摻雜濃度低的一邊要窄得多。 耗盡區(qū)一定的靜電荷密度的存在產(chǎn)生了一個電場，其場強最大的地方是PN結連接處，如圖1d所示。PN結的電場存在產(chǎn)生了內(nèi)建電壓差，如圖1e所示。電場和電壓的存在會迫使電子向n區(qū)域移動，而空穴向p區(qū)移動。
圖2：具有不同的反向擊穿電壓的穩(wěn)壓二極管的I-V曲線圖。電壓值是n區(qū)相對于p區(qū)的電壓
圖2是有不同反向擊穿電壓的三個二極管的電流相對電壓的曲線圖。當n區(qū)相對P區(qū)有負電壓，且當負電壓低于-0.6 V(即絕對值大于0.6 V)時，就會產(chǎn)生一個P區(qū)到N區(qū)的大電流；當有正電壓時，在小于擊穿電壓之前電流可以忽略不計。二極管的基本性質可以通過考慮耗盡層的電壓和電場來理解。
圖3描述了正向偏壓的二極管情況。正向偏壓即在N區(qū)加一個相對P區(qū)的負電壓。 這樣會導致PN結內(nèi)建電勢的減小，其變化趨勢如圖3e所示。PN結內(nèi)建電勢的減小會導致電場以及耗盡區(qū)寬度的減小，如圖d、c和b所示。二極管內(nèi)部電壓的減小和耗盡區(qū)寬度的減小開始允許電流導通二極管。有不同反向擊穿電壓的三個穩(wěn)壓二極管的正向偏壓工作下的電流相對電壓的性質如圖4。
圖3 正向偏壓下二極管特性。黑線表示沒有偏壓，紅線表示有一個正向偏置電壓
圖4 不同反向擊穿電壓的三個穩(wěn)壓二極管正向偏壓下的電流相對電壓的曲線
反偏壓情況如圖5所示，在反偏壓下n區(qū)相對p區(qū)的電壓是個正電壓。這會使得PN結內(nèi)部的電勢變大超過開始的內(nèi)建電勢，如圖5e所示；當然也會增強PN結的電場強度，如圖5d所示。最終的結果是PN結耗盡區(qū)的寬度增加， 內(nèi)部電勢和電場會使得PN結平衡電流(擴散電流和漂移電流)比沒有外部偏壓時要大。這說明如果通過二極管的電流很小時，那么它的導通電壓的范圍會比較大。
圖5 反向偏壓下二極管特性。黑線表示沒有偏壓，紅線表示有一個反向偏置電壓在足夠大的反偏壓下，電流開始流動，這可以在圖2中看到。如果在PN結處的摻雜濃度不是很高的話，電流會通過雪崩擊穿開始流動。應用電壓會在耗盡層產(chǎn)生電場。這個區(qū)域將會加速少數(shù)載流子被充滿熱量地注入耗盡層。在高電場中，載流子之間的碰撞會產(chǎn)生額外的電子空穴對。那原先是單一的載流子現(xiàn)在變成了三種。如果這個過程重復發(fā)生，雪崩會導致大電流。摻雜濃度越高的PN結，其耗盡區(qū)更窄，那么其電場強度就會越高。因此摻雜濃度高的PN結，其雪崩擊穿的觸發(fā)電壓更低。雪崩擊穿被定義是在非常窄的電壓區(qū)域其電流急速增加，如圖6所示。
圖6 不同擊穿電壓二極管的電流-電壓(I-V)曲線。擊穿電壓定義為在室溫下5 mA反向電流時的電壓
在高摻雜濃度下第二次擊穿發(fā)生。在高摻雜濃度下，電場變得太強以致電子從本質上遠離原子成為完全自由載流子。這個過程就是大家所知的齊納擊穿(在半導體中的一種非破壞性擊穿)，這常常被描述為電子從禁帶到導帶的量子隧穿。齊納擊穿的電流相對電壓增長相對5.1V二極管的雪崩擊穿有一個更大的斜率，如圖6所表示。
