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    DDR5 時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

    發(fā)布時間:2023-10-20 責任編輯:lina

    【導讀】在人工智能(AI)、機器學習(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDRDouble Data Rate)技術(shù)作為動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的重要演進,極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生,到 2020  DDR5,每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進步。


    在人工智能(AI)、機器學習(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR(Double Data Rate)技術(shù)作為動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的重要演進,極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進步。

     

    如今,無論是 PC、筆電還是人工智能,各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀元邁進。今年,生成式 AI 市場蓬勃發(fā)展,用于大型模型應用的 AI 服務器大力推動了對 DDR5 的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能,逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。

     

    DDR5 的新時代已經(jīng)來臨,然而,一些挑戰(zhàn)也阻礙了產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展。

     

    DDR5 時代:超高速性能背后的設計挑戰(zhàn)

     

    2020 年 7 月,DDR5 內(nèi)存技術(shù)標準正式發(fā)布,標志著內(nèi)存技術(shù)開啟了新的篇章。DDR5 以更高的帶寬和性能吸引了廣泛的關(guān)注。與之前的 DDR4 相比,DDR5 的最大優(yōu)勢在于它顯著降低了功耗,同時將帶寬提升了一倍。具體來看,DDR5 當前發(fā)布協(xié)議的最高速率已達 6.4Gbps,其時鐘頻率也從 1.6GHz 增加到了 3.2GHz。

     

    當我們深入探究 DDR5 的更多細節(jié)時,我們也發(fā)現(xiàn)這一新技術(shù)帶來了一些額外的技術(shù)挑戰(zhàn)。例如,DDR5 的電源電壓相較于 DDR4 的 1.2V 降低了 0.1V,達到了 1.1V,雖然較低的電源電壓降低了功耗并延長了電池壽命,但同時也帶來了一些技術(shù)挑戰(zhàn),比如更容易受到噪聲的干擾,這使得信號完整性變得更具挑戰(zhàn)性,因為信號開關(guān)時電壓之間的噪聲余量更少,并可能會因此影響到設計。

    DDR5 的另一個重大變化是,與 DDR4 的電源管理芯片(PMIC)集成在主板上的方式不同,DDR5 將電源管理 IC(PMIC)從主板上轉(zhuǎn)移到了雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)上。這使得電源管理、電壓調(diào)節(jié)和上電順序在物理上更接近模塊上的存儲器件,這也有助于確保電源完整性(PI),并增強對 PMIC 運行方式的控制。

     

    此外,在數(shù)據(jù)位總數(shù)保持不變的情況下,DIMM 的通道數(shù)從 1 個通道增加到 2 個通道也是一個重要的進步,通過將數(shù)據(jù)分成兩個較窄的通道傳輸,可以更有效地生成和分配時鐘信號,從而來改善信號完整性。

     

    顯然,DDR5 標準的開發(fā)也考慮到了信號完整性問題,將 PMIC 轉(zhuǎn)移到模塊中也會發(fā)揮相應的優(yōu)勢。然而,設計人員仍然需要考慮兼顧電源影響的信號完整性的整體效應。如上文所述,DDR5 具有高達 6.4Gbps 的數(shù)據(jù)速率和 3.2GHz 系統(tǒng)時鐘頻率,電源噪聲在這種高速操作中可能會引發(fā)更明顯的問題,對系統(tǒng)性能和穩(wěn)定性造成影響。如果分別進行電源完整性和信號完整性分析,就可能會遺漏電源噪聲引起的問題。

     

    因此,要想充分發(fā)揮 DDR5 的性能,必須在系統(tǒng)的所有關(guān)鍵點包括芯片、封裝和 PCB 進行兼顧電源影響的信號完整性分析。但是,進行這種層面的分析是一項復雜的任務,它對底層計算平臺如用于仿真分析的硬件、軟件工具都有很高的要求,也會使得總體的設計時間變得更長,增加了設計的難度和復雜性。

     

    充分釋放 DDR5 的潛力,Cadence 的妙計

     

    早在 2005 年,“兼顧電源影響”這一概念首次亮相,它是一種能夠同時分析信號與電源噪聲的先進信號完整性仿真方法(圖 1)。兼顧電源影響的信號完整性解決方案必須考慮反射、串擾、時序和其他效應,并配備相應的仿真和規(guī)則檢查技術(shù)。值得注意的是,要想有效地實施兼顧電源影響的信號完整性仿真,需要在規(guī)則檢查和布線后的分析階段進行,因為平面和信號的相互作用/耦合發(fā)生在布線完成之后。

     

    因此,一個完整的兼顧電源影響的解決方案往往需要提供:

     

    l 一套針對信號衰減和電源對信號的影響的快速檢查方案

    l 能夠模擬大型電路的時域仿真器(多個信號網(wǎng)絡和電源網(wǎng)絡的結(jié)果)

    l 電源網(wǎng)絡和信號網(wǎng)絡的建模

    l 高級輸入/輸出(I/O)緩沖器建模

     

    DDR5 時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視 

    圖 1:兼顧電源影響的信號完整性仿真結(jié)果

     

    盡管市場上的許多工具都支持基本的兼顧電源影響的 I/O 建模標準,不過,隨著內(nèi)存接口技術(shù)的不斷發(fā)展,市場對信號完整性工具的要求也日益嚴格,能實現(xiàn)在芯片、封裝和 PCB 上的耦合信號、電源和接地信號的準確提取的工具卻是鳳毛麟角。

     

    在這方面,作為電子設計自動化(EDA)仿真領域的領軍企業(yè),Cadence 推出的 Sigrity X 技術(shù)則是針對 DDR4 和 DDR5 提供了真正的兼顧電源影響的信號完整性分析。

     

    Sigrity X 技術(shù)不僅實現(xiàn)了芯片、封裝和 PCB 上的耦合信號、電源和接地信號的精確提取,還能同時針對反射、損耗、串擾和同步開關(guān)輸出(SSO)效應進行高效仿真。采用 Sigrity 技術(shù)的設計人員能迅速將晶體管級模型轉(zhuǎn)換為考慮電源影響的行為級 IBIS 模型,從而在幾個小時之內(nèi)就能提供精準、高效且全面考慮電源影響的仿真,大大縮短了原本需要數(shù)天的設計周期。(圖 2)

     

    DDR5 時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視 

    圖 2:用于 PCB 和 IC 封裝的 Cadence 信號完整性和電源完整性工具

     

    Sigrity X 技術(shù)簡化了工作流程,提供設計同步快速仿真和用于最終驗證的簽核級準確度。信號、功率和熱問題可以在每個設計階段予以解決,從而降低了設計和分析團隊間的迭代次數(shù)。設計人員可以在設計畫布內(nèi)運行簽核級引擎來進行高精度的仿真,從而提供高質(zhì)量的設計,供分析團隊進行驗證。之后,分析團隊利用 Sigrity 大規(guī)模并行仿真引擎進行全系統(tǒng)仿真,確保整個“芯片-封裝-PCB-外殼”符合設計規(guī)范,并為簽核做好準備。

     

    這些優(yōu)勢使得 Sigrity X 成為 DDR5 內(nèi)存和 112G 接口的最佳解決方案。其黃金標準的互連建模,結(jié)合了串行器/解串器(SerDes)分析和支持 IBIS 算法建模接口(AMI)的時域仿真(電路和通道仿真),賦予 Cadence 獨一無二的優(yōu)勢,從而能提取和接口合規(guī)性簽核提供完整的解決方案。

     

    進一步的,Sigrity XtractIM 和 Clarity 3D Solver 技術(shù)可以配合使用,這讓工程師們能夠針對各種類型的封裝創(chuàng)建出包含耦合信號、電源和接地互連模型的完整封裝模型,有效彌補了封裝設計和封裝表征之間的差距。

     

    此外,Sigrity SystemSI 技術(shù)支持快速連接兼顧電源影響的 IBIS 模型和兼顧電源影響的互連模型,設計人員通過這一技術(shù),可以迅速確定出最壞的情況,與 JEDEC 標準進行比對,確保 DDR4/DDR5 接口(包括比特誤碼率要求)符合所有相關(guān)規(guī)范。

     

    圖 3 是 Cadence 兼顧電源影響的檢查和仿真流程,這與傳統(tǒng)的約束驅(qū)動的設計流程(圖 4)形成了鮮明對比。傳統(tǒng)的約束驅(qū)動的設計流程主要包含四個部分:預布局布線、約束形成、規(guī)則檢查和布線后驗證。

     

    DDR5 時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視 

    圖 3:Cadence 兼顧電源影響的約束驅(qū)動的流程

     

    VS

    DDR5 時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視 

    圖 4:傳統(tǒng)的約束驅(qū)動的設計流程示例

     

    當前的眾多現(xiàn)行仿真技術(shù)中,信號分析和電源分布網(wǎng)絡(PDN)之間常常存在脫節(jié),也會存在一些其他缺點。通常情況下,根據(jù) SPICE 模型的復雜性不同,有時會使用時域仿真來生成準確的電阻/電感/電容(RLC)模型,而有時則會假設一個理想的接地平面。由此得出的時域模型是基于仿真提取的簡單頻率響應,雖然較為便捷,但是在準確性方面略有不足,而對于更高的頻率,工程師會使用通過混合求解器創(chuàng)建的 S 參數(shù)。

     

    其實還有一種高效的方法是利用有限差分時域(FDTD)方法與混合求解器相結(jié)合,從而將覆蓋范圍擴大到信號、電源和接地線。

     

    這一方法的成功實踐案例是 Cadence 的 Sigrity SPEED2000 引擎工具,它集成和整合了若干個求解器的輸出,以此解決電路布線以及傳輸線和電磁場問題,能更好地展示數(shù)據(jù)和電源/接地平面之間在不同時間的相互作用。并使用 FDTD 方法來分析 IC 封裝和 PCB 的布局。為電路設計的進一步優(yōu)化提供了重要的參考依據(jù)。

     

    當進入到最終的簽核階段,工程師通常傾向于使用 3D 全波建模方法以獲得更高的準確度。但這會消耗更多的計算資源并且增加仿真的時間。為了緩解這個問題,可以采用分割和并行化技術(shù)。在這方面,通過使用 Clarity 3D Solver 進行基于有限元分析(FEM)分析,然后再結(jié)合 Sigrity XtractIM 技術(shù),最終,各個分析結(jié)果被重新組合,形成一個基于頻率響應的 S 參數(shù)模型,從而實現(xiàn)對整個系統(tǒng)或設計的深入和精確分析。

     

    總結(jié)

     

    科技的每一次飛躍,在帶來技術(shù)提升的同時,也不可避免地為設計者埋下了新的挑戰(zhàn)。在邁向 DDR5 內(nèi)存的新時代和新挑戰(zhàn)的路上,有了 Cadence Sigrity X 這把銳利的“利刃”于手,工程師們可以坦然應對信號完整性的各種復雜問題,確保產(chǎn)品不僅與規(guī)格相符,更在性能上大放異彩,為未來創(chuàng)新之路再添一磚。

     

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