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    雙極結(jié)型晶體管的電流增益

    發(fā)布時(shí)間:2023-06-08 責(zé)任編輯:lina

    【導(dǎo)讀】如果您施加一個(gè)足夠高的電壓 V IN以正向偏置基極-發(fā)射極結(jié),電流將從輸入端流過 R B,通過 BE 結(jié),到達(dá)地。我們稱之為 I B。電流還將從 5 V 電源流經(jīng) R C,流經(jīng)晶體管的集電極到發(fā)射極部分,流到地。稱之為I C。假設(shè) I C足夠小以在集電極端留下相對較高的電壓——足夠高的電壓,即保持基極-集電極結(jié)反向偏置。


    假設(shè)我們正在使用一個(gè)簡單的電路,該電路由一個(gè) npn雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和幾個(gè)電阻器組成,連接方式如下:


    雙極結(jié)型晶體管的電流增益


    如果您施加一個(gè)足夠高的電壓 V IN以正向偏置基極-發(fā)射極結(jié),電流將從輸入端流過 R B,通過 BE 結(jié),到達(dá)地。我們稱之為 I B。電流還將從 5 V 電源流經(jīng) R C,流經(jīng)晶體管的集電極到發(fā)射極部分,流到地。稱之為I C。假設(shè) I C足夠小以在集電極端留下相對較高的電壓——足夠高的電壓,即保持基極-集電極結(jié)反向偏置。

    基極電流和集電極電流

    您可能不會對 I C明顯大于 I B感到驚訝。我懷疑您對這兩種電流之間的數(shù)學(xué)關(guān)系也有所了解。這個(gè)詞已經(jīng)從你的腦海深處浮現(xiàn),上升到意識領(lǐng)域,讓人聯(lián)想到電路和符號、方程式和圖表、英語和希臘語字母的圖像。也許你已經(jīng)低聲說了。是的,測試版。那條將我們從 I B帶到 I C的人跡罕至的道路,啊,是的,我們很了解它……或者我們知道嗎?


    雙極結(jié)型晶體管的電流增益


    什么是 BJT Beta?

    有些人可能會說這是特定雙極結(jié)型晶體管的電流增益,他們可能會提供β = 100 作為典型值。這是一個(gè)好的開始,但我們需要更:β 是正向激活模式下工作的雙極結(jié)型晶體管的基極電流和集電極電流之間的比例因子。

    這樣更好,但我們還沒有完成,因?yàn)榍闆r實(shí)際上比這更復(fù)雜。作為本節(jié)副標(biāo)題的問題有點(diǎn)誤導(dǎo),因?yàn)槿绻覀兿朐诩夹g(shù)上嚴(yán)謹(jǐn),我們真的應(yīng)該用復(fù)數(shù)形式來談?wù)?BJT betas 。

    首先,我們通常認(rèn)為的β或許應(yīng)該寫成β F,其中帶下標(biāo)的“F”表示這是正向激活模式下的I C與I B之比。可以在反向激活模式下使用 BJT,在這種情況下,I C與 I B 的比率用 β R表示。我的一本教科書甚至建議飽和模式的 beta:β forced,其中“強(qiáng)制”指的是 I C與 I B的比率是由外部電路條件強(qiáng)加的,而不是由晶體管建立的。β forced總是小于 β F。

    小信號和大信號

    在開始閱讀本文之前,您可能認(rèn)為晶體管只有一個(gè)貝塔。現(xiàn)在你已經(jīng)熟悉了三個(gè)。我們還沒有完成。

    在晶體管電路的上下文中,術(shù)語“小信號”和“大信號”并不簡單地指定振幅。

    當(dāng)我們建立偏置條件或使用晶體管作為開關(guān)時(shí),我們在大信號直流量領(lǐng)域工作,晶體管的 I C 與I B之比稱為 β DC . 幸運(yùn)的是,β DC與 β F相同,與 BJT 討論中頻繁出現(xiàn)的難以描述的“beta”相同。因此,當(dāng)我們談?wù)摗唉隆睍r(shí),我們(可能無意中)指的是在正向激活模式下工作的雙極結(jié)型晶體管的大信號基極電流和大信號集電極電流之間的比例因子。

    我知道你在想什么。“如果有大信號操作的測試版,那么小信號操作也必須有測試版。” 正確的!Beta 數(shù) 5,用 β AC表示,是小信號 AC 量的I C與 I B之比。給定晶體管的 β AC和 β DC的值相似,但不完全相同。

    當(dāng) Beta 不是 β 時(shí)

    如果您曾經(jīng)在 BJT 數(shù)據(jù)表中搜索過 beta 并且一無所獲,那么您并不孤單。制造商經(jīng)常使用符號 h FE和 h fe而不是 β,造成了額外的混淆。“h”部分來自“hybrid”,指的是表征雙端口網(wǎng)絡(luò)的 h 參數(shù)方法;“f”代表正向增益,“e”代表共發(fā)射極。

    這里的挑戰(zhàn)——除非你直接跳到這部分并且沒有閱讀有關(guān)小信號和大信號 beta 的內(nèi)容!——是學(xué)習(xí)術(shù)語,因?yàn)?h FE與 β DC相同,h fe與 β 相同空調(diào)。h fe和 h FE中的不同下標(biāo)反映了小信號量使用小寫字母和大信號量使用大寫字母的約定。

    以下是來自 ON Semiconductor 的 P2N2222A 數(shù)據(jù)表中的示例:


    雙極結(jié)型晶體管的電流增益
    表格取自該數(shù)據(jù)表。


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