<abbr id="kc8ii"><menu id="kc8ii"></menu></abbr>
  • <input id="kc8ii"><tbody id="kc8ii"></tbody></input><table id="kc8ii"><source id="kc8ii"></source></table><kbd id="kc8ii"></kbd>
    <center id="kc8ii"><table id="kc8ii"></table></center>
  • <input id="kc8ii"></input>
    <abbr id="kc8ii"></abbr>
  • <abbr id="kc8ii"></abbr>
  • <center id="kc8ii"><table id="kc8ii"></table></center>
    <abbr id="kc8ii"></abbr>
    你的位置:首頁 > 互連技術 > 正文

    雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET

    發布時間:2021-09-15 來源:英飛凌科技 責任編輯:lina

    【導讀】雙向功率轉換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關鍵部件。碳化硅開關能夠實現先前技術無法達到的效率水平。
     
    摘要
     
    雙向功率轉換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關鍵部件。碳化硅開關能夠實現先前技術無法達到的效率水平。
     
    太陽能和風能等可再生能源的存儲越來越重要,而電池則是一種實用的儲能解決方案。在電動汽車(EV)市場的驅動下,電池可用于從公用事業到家庭等任何規模場景應用,成本也在不斷下降 。此外,雖然基于碳的 礦物燃料仍在繼續使用,但 電池電能可有效地反饋 到電網中,能夠 為更可靠和更具成本效益地供應電能 提供“調峰”作用,并可為家庭或工業消費者提供資金返現。在這種情況下,需要一個雙向功率轉換器,能夠從交流電 或可再生能源為電池充電,或者在本地負載較輕或沒有本地負載時將能量“饋入”回交流線路 。 EV 電池也可以包含在此項應用。
     
    雙向轉換器效率是關鍵
     
    雙向轉換器的效率顯然是太陽能等系統有效性和投資回報的關鍵。現在,功率轉換器中單級實現 99% 以上的效率很常見,但雙向轉換器更難以優化其正向和反向能量流。幸運的是,當 MOSFET 用于開關和同步整流器 時,它們通常可以配置為雙向。圖 1 顯示了雙向電池充電器/逆變器的示意圖,其左右對稱性應該很明顯,能量流方向由 MOSFET 驅動裝置 控制。
     
    雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
    圖 1:橋式布局中 MOSFET  用作雙向功率轉換器。
     
    圖中所示功率因數校正級是一個典型“無橋圖騰柱”類型,它在中等功率或更高交錯功率水平下最佳 ,但其效率受到兩個 MOSFET 的體二極管限制,這些體二極管在交流電源的交替極性上充當升壓二極管 。對于低傳導損耗 ,電路在連續傳導模式下“硬開關” ,電荷在 MOSFET 通道導通和關斷狀態之間的死區時間內存儲在體二極管中 。每個周期恢復這種電荷會導致功率損耗和 EMI,在使用硅 MOSFET 時,這種影響可能會很嚴重。如果 MOSFET 的輸出電荷 QOSS 很高,并且 每個周期都必須對其進行充電和 放電,那么也會產生過多的功率損耗。
     
    圖 1 中所示,DC-DC為諧振“移相全橋(PSFB)”型,不受體二極管反向恢復的影響,除非可能在啟動、關閉或負載階躍時發生的瞬態 。然而,該轉換器也可能受到高 QOSS 值的影響,使得諧振操作 難以在所有條件下保持。高 QOSS 值還會強制達到最小死區時間 ,進而限制了高頻工作。
     
    SiC MOSFET 能夠解決這些問題
     
    上面討論的問題在很大程度上可通過使用碳化硅 (SiC) MOSFET 得到解決。其反向恢復電荷約為同類 si-MOSFET 值的 20%,而 QOSS 約為六分之一。例如,英飛凌的650V CoolSiCTM SiC MOSFET(IMZA65R048M1H)  具有 125nC 的電荷,而基于硅的 600V CoolMOSTM CFD7 超級結 MOSFET(IPW60R070CFD7)  的電荷為 570nC,具有相似的導通電阻。 
     
    使用 SiC MOSFET 時, 輸出電容和由此產生的 QOSS 變化要小很多。圖 2 表明 IMZA65R048M1H CoolSiCTM MOSFET 在低漏極電壓和高漏極電壓之間變化  10 倍,但超級結 硅MOSFET 的數值接近變化  8000 倍。高電壓下 SiC 的 非零值可能是一個優勢,因為它有助于減少漏極上的電壓過沖,否則將需要高柵極電阻值,從而降低可控性。
     
    雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
    圖 2:與硅器件相比,SiC 器件輸出電容隨漏極電壓的變化要小很多。
     
    參考設計展示了 SiC 的優勢
     
    英飛凌參考設計(EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC)  [1](見圖 3)展示了 SiC MOSFET 在雙向 3.3 kW 圖騰柱 PFC 級 中的性能,實現了 73 W/in3 (4.7 W/cm3) 的功率密度,在 230VAC 輸入和 400VDC 輸出下的峰值效率為 99.1%。在逆變器模式下,效率峰值為 98.8%。使用英飛凌 XMCTM 系列微控制器能夠進行全數字控制 。
     
    雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
    圖 3:英飛凌采用 SiC MOSFET的高效、雙向、圖騰柱 PFC 級 演示板。
     
    結論
     
    CoolSiCTM MOSFET在雙向轉換器中具有明顯的優勢,英飛凌能夠以分立和模塊形式提供這些產品,以及一系列互補 使用的 EiceDRIVERTM 柵極驅動器。還可提供電流感測  IC和用于數字控制的微控制器。
     
    參考文獻
     
    [1]  采用650V CoolSiCTM和 XMCTM 的3300W CCM 雙向圖騰柱,英飛凌應用筆記,AN_1911_PL52_1912_141352
     
     
    免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請電話或者郵箱聯系小編進行侵刪。
    特別推薦
    技術文章更多>>
    技術白皮書下載更多>>
    熱門搜索
    ?

    關閉

    ?

    關閉

    无码人妻一区二区三区精品视频| 色窝窝无码一区二区三区| 国产成人无码一区二区三区| 日韩人妻无码精品专区| 亚洲精品一级无码鲁丝片| 日韩AV无码精品人妻系列| 精品人妻无码区在线视频| а中文在线天堂| 伊人久久一区二区三区无码 | 亚洲欧美日韩另类中文字幕组| 无码国产成人午夜电影在线观看| 少妇人妻偷人精品无码视频新浪| 东京热人妻无码一区二区av| 久久久这里有精品中文字幕| 波多野结衣中文字幕在线| 最近的中文字幕在线看视频| 久久无码国产| 国产V亚洲V天堂A无码| 国产AV无码专区亚洲AV男同| 少妇无码一区二区二三区| 无码免费一区二区三区免费播放| 久久精品aⅴ无码中文字字幕不卡| 国产精品综合专区中文字幕免费播放| 五月天中文字幕mv在线| 亚洲中文久久精品无码| 亚洲VA中文字幕无码毛片| 中文成人无字幕乱码精品区| 中文字幕人成人乱码亚洲电影| 久久精品中文字幕一区| 久久精品中文闷骚内射| 中文字幕在线免费| 亚洲看片无码在线视频| 久久亚洲AV无码精品色午夜| 中文字幕人妻无码一区二区三区| 中文字幕无码免费久久| 无码区国产区在线播放| 刺激无码在线观看精品视频 | 精品无码一区二区三区爱欲 | 青春草无码精品视频在线观| 婷婷色中文字幕综合在线| а天堂8中文最新版在线官网|