（5-3） 三極管的輸入特性曲線如圖5-6所示。由圖5-6可見NPN型三極管共射極輸入持性曲線的特點是：BE雖己大于零，但iB幾乎仍為零，只有當uBE的值大于開啟電壓后，iB的值與二極管一樣隨uBE的增加按指數規律增大。硅晶體管的開啟電壓約為0.5V，發射結導通電壓Von約為0.6～0.7v；鍺晶體管的開啟電壓約為0.2v，發射結導通電壓約為0.2~0.3v。

 

 

CE=0V，UCE=0.5V和UCE=1V的情況。當UCE=0V時，相當于集電極和發射極短路，即集電結和發射結并聯，輸入特性曲線和PN結的正向特性曲線相類似。當UCE=1V，集電結已處在反向偏置，管子工作在放大區，集電極收集基區擴散過來的電子，使在相同uBE值的情況下，流向基極的電流iB減小，輸入特性隨著UCE的增大而右移。當UCE>1V以后，輸入特性幾乎與UCE=1V時的特性曲線重合，這是因為Vcc＞lV后，集電極已將發射區發射過來的電子幾乎全部收集走，對基區電子與空穴的復合影響不大，iB的改變也不明顯。CE必須大于l伏，所以，只要給出UCE=1V時的輸入特性就可以了。

 

2、輸出特性曲線

 

輸出特性曲線是描述三極管在輸入電流iB保持不變的前提下，集電極電流iC和管壓降uCE之間的函數關系，即

 

（5-4） 三極管的輸出特性曲線如圖5-7所示。由圖5-7可見，當IB改變時，iC和uCE的關系是一組平行的曲線族，并有截止、放大、飽和三個工作區。

 

 

（1）截止區 

 

IB=0持性曲線以下的區域稱為截止區。此時晶體管的集電結處于反偏，發射結電壓uBE＜0，也是處于反偏的狀態。由于iB＝0，在反向飽和電流可忽略的前提下，iC=βiB也等于0，晶體管無電流的放大作用。處在截止狀態下的三極管，發射極和集電結都是反偏，在電路中猶如一個斷開的開關。實際的情況是：處在截止狀態下的三極管集電極有很小的電流ICE0，該電流稱為三極管的穿透電流，它是在基極開路時測得的集電極-發射極間的電流，不受iB的控制，但受溫度的影響。

 

 （2）飽和區 

 

在圖5-4的三極管放大電路中，集電極接有電阻RC，如果電源電壓VCC一定，當集電極電流iC增大時，uCE=VCC-iCRC將下降，對于硅管，當uCE降低到小于0.7V時，集電結也進入正向偏置的狀態，集電極吸引電子的能力將下降，此時iB再增大，iC幾乎就不再增大了，三極管失去了電流放大作用，處于這種狀態下工作的三極管稱為飽和。規定UCE＝UBE時的狀態為臨界飽和態，圖5-7中的虛線為臨界飽和線，在臨界飽和態下工作的三極管集電極電流和基極電流的關系為：（5-1-4） 式中的ICS，IBS，UCES分別為三極管處在臨界飽和態下的集電極電流、基極電流和管子兩端的電壓（飽和管壓降）。當管子兩端的電壓UCE＜UCES時，三極管將進入深度飽和的狀態，在深度飽和的狀態下，iC=βiB的關系不成立，三極管的發射結和集電結都處于正向偏置會導電的狀態下，在電路中猶如一個閉合的開關。三極管截止和飽和的狀態與開關斷、通的特性很相似，數字電路中的各種開關電路就是利用三極管的這種特性來制作的。

 

（3）放大區 

 

三極管輸出特性曲線飽和區和截止區之間的部分就是放大區。工作在放大區的三極管才具有電流的放大作用。此時三極管的發射結處在正偏，集電結處在反偏。由放大區的特性曲線可見，特性曲線非常平坦，當iB等量變化時，iC幾乎也按一定比例等距離平行變化。由于iC只受iB控制，幾乎與uCE的大小無關，說明處在放大狀態下的三極管相當于一個輸出電流受IB控制的受控電流源。上述討論的是NPN型三極管的特性曲線，PNP型三極管特性曲線是一組與NPN型三極管特性曲線關于原點對稱的圖像。