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    實驗:PN結電容與電壓的關系

    發布時間:2019-11-25 責任編輯:lina

    【導讀】增加PN結上的反向偏置電壓VJ會導致連接處電荷的重新分配,形成耗盡區或耗盡層(圖1中的W)。這個耗盡層充當電容的兩個導電板之間的絕緣體。
     
    本實驗活動的目的是測量反向偏置PN結的容值與電壓的關系。
     
    背景知識
     
    PN結電容
     
    增加PN結上的反向偏置電壓VJ會導致連接處電荷的重新分配,形成耗盡區或耗盡層(圖1中的W)。這個耗盡層充當電容的兩個導電板之間的絕緣體。這個W層的厚度與施加的電場和摻雜濃度呈函數關系。PN結電容分為勢壘電容和擴散電容兩部分。在反向偏置條件下,不會發生自由載流子注入;因此,擴散電容等于零。對于反向和小于二極管開啟電壓(硅芯片為0.6 V)的正偏置電壓,勢壘電容是主要的電容來源。在實際應用中,根據結面積和摻雜濃度的不同,勢壘電容可以小至零點幾pF,也可以達到幾百pF。結電容與施加的偏置電壓之間的依賴關系被稱為結的電容-電壓(CV)特性。在本次實驗中,您將測量各個PN結(二極管)此特性的值,并繪制數值圖。

    實驗:PN結電容與電壓的關系 
    圖1.PN結耗盡區。
     
    材料
     
    ADALM2000 主動學習模塊
    無焊面包板
    一個10 kΩ電阻
    一個39 pF電容
    一個1N4001二極管
    一個1N3064二極管
    一個1N914二極管
    紅色、黃色和綠色LED
    一個2N3904 NPN晶體管
    一個2N3906 PNP晶體管
     
     
    步驟1
     
    在無焊面包板上,按照圖2和圖3所示構建測試設置。第一步是利用在AWG輸出和示波器輸入之間連接的已知電容C1來測量未知電容Cm。兩個示波器負輸入1–和2–都接地。示波器通道1+輸入與AWG1輸出W1一起連接到面包板上的同一行。將示波器通道2+插入面包板,且保證與插入的AWG輸出間隔8到10行,將與示波器通道2+相鄰偏向AWG1的那一行接地,保證AWG1和示波器通道2之間任何不必要的雜散耦合最小。由于沒有屏蔽飛線,盡量讓W1和1+兩條連接線遠離2+連接線。
     
     實驗:PN結電容與電壓的關系
    圖2.用于測量Cm的步驟1設置
     
    硬件設置
     
    使用Scopy軟件中的網絡分析儀工具獲取增益(衰減)與頻率(5 kHz至10 MHz)的關系圖。示波器通道1為濾波器輸入,示波器通道2為濾波器輸出。將AWG偏置設置為1 V,幅度設置為200 mV。測量一個簡單的實際電容時,偏置值并不重要,但在后續步驟中測量二極管時,偏置值將會用作反向偏置電壓。縱坐標范圍設置為+1 dB(起點)至–50 dB。運行單次掃描,然后將數據導出到.csv文件。您會發現存在高通特性,即在極低頻率下具有高衰減,而在這些頻率下,相比R1,電容的阻抗非常大。在頻率掃描的高頻區域,應該存在一個相對較為平坦的區域,此時,C1、Cm容性分壓器的阻抗要遠低于R1。
     
     實驗:PN結電容與電壓的關系
    圖3.用于測量Cm的步驟1設置
     
    步驟1
     
     
    實驗:PN結電容與電壓的關系
    圖4.Scopy屏幕截圖。
     
    我們選擇讓C1遠大于Cstray,這樣可以在計算中忽略Cstray,但是計算得出的值仍與未知的Cm相近。
     
    在電子表格程序中打開保存的數據文件,滾動至接近高頻(>1 MHz)數據的末尾部分,其衰減電平基本是平坦的。記錄幅度值為GHF1(單位:dB)。在已知GHF1和C1的情況下,我們可以使用以下公式計算Cm。記下Cm值,在下一步測量各種二極管PN結的電容時,我們需要用到這個值。
     
    實驗:PN結電容與電壓的關系
    步驟2
     
    現在,我們將在各種反向偏置條件下,測量ADALM2000模擬套件中各種二極管的電容。在無焊面包板上,按照圖4和圖5所示構建測試設置。只需要使用D1(1N4001)替換C1。插入二極管,確保極性正確,這樣AWG1中的正偏置將使二極管反向偏置。
     
     實驗:PN結電容與電壓的關系
    圖5.用于測量二極管電容的步驟2設置。
     
    硬件設置
     
    實驗:PN結電容與電壓的關系
    圖6.用于測量二極管電容的步驟2設置。
     
    使用Scopy軟件中的網絡分析儀工具獲取表1中各AWG 1 DC偏置值時增益(衰減)與頻率(5 kHz至10 MHz)的關系圖。將每次掃描的數據導出到不同的.csv文件。
     
    程序步驟
     
    在表1剩余的部分,填入各偏置電壓值的GHF值,然后使用Cm值和步驟1中的公式來計算Cdiode的值。
     
    實驗:PN結電容與電壓的關系

    實驗:PN結電容與電壓的關系
    圖7.偏置為0 V時的Scopy屏幕截圖。
     
    使用ADALM2000套件中的1N3064二極管替換1N4001二極管,然后重復對第一個二極管執行的掃描步驟。將測量數據和計算得出的Cdiode值填入另一個表。與1N4001二極管的值相比,1N3064的值有何不同?您應該附上您測量的各二極管的電容與反向偏置電壓圖表。
     
    然后,使用ADALM2000套件中的一個1N914二極管,替換1N3064二極管。然后,重復您剛對其他二極管執行的相同掃描步驟。將測量數據和計算得出的Cdiode值填入另一個表。與1N4001和1N3064二極管的值相比,1N914的值有何不同?
     
    您測量的1N914二極管的電容應該遠小于其他兩個二極管的電容。該值可能非常小,幾乎與Cstray的值相當。
     
    額外加分的測量
     
    發光二極管或LED也是PN結。它們是由硅以外的材料制成的,所以它們的導通電壓與普通二極管有很大不同。但是,它們仍然具有耗盡層和電容。為了獲得額外加分,請和測量普通二極管一樣,測量ADALM2000模擬器套件中的紅色、黃色和綠色LED。在測試設置中插入LED,確保極性正確,以便實現反向偏置。如果操作有誤,LED有時可能會亮起。
     
     
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