【導(dǎo)讀】米勒振蕩是因?yàn)閺?qiáng)的負(fù)反饋引起的開關(guān)振蕩，導(dǎo)致二次導(dǎo)通，對(duì)于后級(jí)大功率半橋、全橋等H橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用中，容易導(dǎo)致上下管子瞬間導(dǎo)通從而炸毀管子，這個(gè)是開關(guān)電源設(shè)計(jì)中最核心的一環(huán)，所以如何避免米勒振蕩可以認(rèn)為是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心關(guān)鍵。
米勒振蕩是因?yàn)閺?qiáng)的負(fù)反饋引起的開關(guān)振蕩，導(dǎo)致二次導(dǎo)通，對(duì)于后級(jí)大功率半橋、全橋等H橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用中，容易導(dǎo)致上下管子瞬間導(dǎo)通從而炸毀管子，這個(gè)是開關(guān)電源設(shè)計(jì)中最核心的一環(huán)，所以如何避免米勒振蕩可以認(rèn)為是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心關(guān)鍵。
A、減緩驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
1、提高M(jìn)OS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關(guān)速度越緩。
2、在MOS管GS之間并聯(lián)瓷片電容，一般容量在1nF~10nF附近。看實(shí)際需求。
調(diào)節(jié)電阻電容值，提高電阻和電容，降低充放電時(shí)間，減緩開關(guān)的邊沿速度，這個(gè)方式特別適合于硬開關(guān)電路，消除硬開關(guān)引起的振蕩。
B、加強(qiáng)關(guān)閉能力
1、差異化充放電速度，采用二極管加速放電速度
2、當(dāng)?shù)谝环N方案不足時(shí)，關(guān)閉時(shí)直接把GS短路
3、當(dāng)?shù)诙N方案不足時(shí)，引入負(fù)壓確保關(guān)斷。
C、增加DS電容
在ZVS軟開關(guān)電路中，比如UC3875移相電路中，MOS管DS之間，往往并聯(lián)無(wú)感CBB小電容，一般容量在10nF以內(nèi)，不能太大，有利于米勒振蕩，注意該電容的發(fā)熱量，頻率更高的時(shí)候，需要用云母電容
D、提高漏極電感方式
相對(duì)應(yīng)方案C的提高DS電容方式，該方案則采用提高漏極的電感方式
1、在漏極串聯(lián)鎳鋅磁珠，提高漏極電感，減緩漏極的電流變化，降低米勒振蕩，這個(gè)方案也是改善EMC的方法之一，效果比較明顯，但該方案不適合高頻率強(qiáng)電流的場(chǎng)合，否則該磁珠就發(fā)熱太高而失效。
2、PCB布線時(shí)，人為的引入布線電感，增長(zhǎng)MOS管漏極、源極的PCB布線長(zhǎng)度，比如方案C的圖中，適當(dāng)提高半橋上下MOS管之間的引線，對(duì)改善米勒振蕩有很大的影響，但這個(gè)需要自身的技術(shù)水平較高，否則容易失敗，此外布線長(zhǎng)度提高，需要相應(yīng)的考慮MOS管的耐壓，嚴(yán)重的，需要加MOS管吸收電路。
E、常用的MOS管吸收電路，利于保護(hù)MOS管因關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生過(guò)高的電壓導(dǎo)致DS擊穿，對(duì)米勒振蕩也有幫助，電路形式多樣，以下列舉四種，應(yīng)用場(chǎng)合不同，采用不同的方式。
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