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    日本產(chǎn)綜研采用半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)出芯片面積在1mm2以下的光開關(guān)

    發(fā)布時間:2011-04-29 來源:日經(jīng)BP社

    產(chǎn)品特性:
    • 面積降至萬分之一以下
    • 處理速度提高到1000倍
    • 相位控制效率提高到10倍
    應(yīng)用范圍:
    • 從時分復(fù)用的光信號中指定信道

    日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所宣布,采用半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)出了芯片面積在1mm2以下的光開關(guān)。與原來由單個部件構(gòu)成的產(chǎn)品相比,面積降至萬分之一以下。據(jù)產(chǎn)綜研介紹,現(xiàn)已證實(shí),利用該元件能夠從由40Gbps的4信道時分復(fù)用而成的160Gbps光信號中選出指定信道。

    光開關(guān)是指,像鐵路道岔一樣,對輸入光線的輸出端進(jìn)行切換的波導(dǎo)路。過去的光開關(guān)大多采用通過光程差來干擾光的馬赫-曾德爾(MZ)型干涉儀。不過,存在的課題是不容易實(shí)現(xiàn)小型化和集成化。

    此次開發(fā)的光開關(guān)結(jié)合了利用光的相位調(diào)制技術(shù)和干擾反射光的邁克爾遜干涉儀。元件面積最小為0.3mm2。采用MZ型干涉儀的光開關(guān),其干涉部分的面積為約10cm2,而此次開發(fā)的光開關(guān)尺寸降至其萬分之一以下。之所以能夠減小尺寸,最主要的原因是“通過將干涉儀換成邁克爾遜型干涉儀,使相位調(diào)制部分與控制光的導(dǎo)入部分得以貼近”。另外,使用MZ型干涉儀時,利用現(xiàn)有技術(shù)很難像此次這樣集成在1個芯片上。

    利用子帶間躍遷將處理速度提高到1000倍
    利用光的光相位調(diào)制技術(shù)也叫做全光相位調(diào)制。這是利用子帶間躍遷(ISBT)原理實(shí)現(xiàn)的。ISBT指在半導(dǎo)體的各價帶或?qū)е谐霈F(xiàn)的能級(子帶)之間進(jìn)行能量躍遷。與價帶和導(dǎo)帶之間的躍遷相比,激發(fā)的電子釋放出晶格振動(聲子)后返回基態(tài)子帶的概率很高,從激發(fā)到緩解的時間非常短,只有數(shù)ps。也就是說,通過利用這種ISBT才能將光相位調(diào)制技術(shù)應(yīng)用于超過100Gbps的高速數(shù)據(jù)傳輸處理上。而在價帶與導(dǎo)帶間的躍遷中,從激發(fā)到緩解需要數(shù)ns時間,只能實(shí)現(xiàn)數(shù)百M(fèi)Hz左右的數(shù)據(jù)處理。

    之所以能利用ISBT控制光相位,是因?yàn)檫_(dá)到激發(fā)狀態(tài)時,波導(dǎo)路的折射率會發(fā)生改變。要想達(dá)到激發(fā)狀態(tài),控制光要采用光的磁場與量子肼平面平行的 “TM(transverse magnetic)偏振波”。而電場與量子肼平面平行的TE(transverse electric)偏振波則作為信號光使用。因TE偏振波與ISBT無關(guān),因此能夠明確分清控制光和信號光的作用。

    相位控制的效率也提高到10倍
    產(chǎn)綜研過去一直在利用ISBT研發(fā)光相位控制技術(shù)。實(shí)現(xiàn)ISBT的量子肼結(jié)構(gòu)的是在InP基板上層疊III-V族的半導(dǎo)體層。據(jù)產(chǎn)綜研介紹,此次通過調(diào)整設(shè)計(jì),將原來帶隙波長為1200nm左右的調(diào)整到1450nm左右,從而使相位調(diào)制的效率也提高到了原來的約10倍。產(chǎn)綜研表示最近發(fā)現(xiàn)“帶隙波長越接近信號光的波長,相位調(diào)制的效率就越高”。


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