局部放電現(xiàn)象和危害

 

局部放電是僅發(fā)生在絕緣體中的一部分區(qū)域的放電。這些放電也可能發(fā)生在電極上，但也可能是“無電極”發(fā)生在電場空間。局部放電會發(fā)生在：氣體，液體和固體中。在發(fā)生局部放電時(shí)，不但會產(chǎn)生損耗，其產(chǎn)生的高能電子和UV輻射會對周圍的絕緣材料造成損壞。

 

不同的絕緣介質(zhì)，局部放電會產(chǎn)生老化損害是不一樣的：

 

■  沒有損害：流動的空氣，天然物質(zhì)例如玻璃云母；

■  輕微損害：密閉氣體絕緣例如SF6，空氣；

■  中度損害：油紙絕緣（變壓器，DF）鑄造樹脂；

■  嚴(yán)重?fù)p害：PE，VPE，幾乎所有塑料。

 

在局部放電對絕緣體造成輕微至嚴(yán)重?fù)p害的情況下，對它的測量變得尤為重要。

 

局部放電機(jī)理

 

■  局部場強(qiáng)增加到絕緣介質(zhì)的電氣強(qiáng)度以上；

■局部較低的電氣強(qiáng)度（例如，澆鑄樹脂中的空隙）。

 

 

電暈放電

 

電暈放電是由氣體和液體中局部過強(qiáng)的電場強(qiáng)度引起的放電。它們主要發(fā)生在尖端，邊緣和細(xì)導(dǎo)體上。由于它們通常出現(xiàn)在外輪廓上，因此由于其典型的輝光和裂紋而易于檢測。

 

沿面放電

 

它產(chǎn)生的起因是電極上發(fā)生電暈放電。

 

分層材料中的放電

 

它是沿面放電的另一種形式。在各個(gè)材料邊界層會產(chǎn)生局部過高的電壓，從而導(dǎo)致局部放電。

 

氣隙放電

 

氣隙放電是由絕緣材料中的氣泡或具有不同介電常數(shù)的污染物質(zhì)所引起。

 

樹狀通道

 

固體或液體絕緣材料持續(xù)局部放電會形成樹狀導(dǎo)電通道對絕緣體造成永久性損害。

 

氣隙放電

 

其中氣隙放電是由絕緣材料中的故障引起的，例如由變壓器油里的氣泡或具有不同介電常數(shù)的污染物質(zhì)。整個(gè)待測絕緣體的電容由氣泡空腔電容C1與剩余絕緣距離C2的電容串聯(lián)并且和無故障絕緣體C3的電容并聯(lián)構(gòu)成。其中由于面積不同，C3遠(yuǎn)大于C1，由于介電常數(shù)不同，C1遠(yuǎn)大于C2。在發(fā)生局部放電時(shí)空腔內(nèi)的電壓降ΔU1是千伏等級，由于C2很小，在絕緣體兩端的電壓降ΔUt只有毫伏等級，所以很難測量。在實(shí)際測量過程中我們使用耦合電容的方式來精確測量。

 

局部放電測量可以在不損壞樣品的情況下測量絕緣質(zhì)量。

 

 

 

如下圖所示，考慮正弦的端電壓U。一旦電壓U1超過氣泡空腔內(nèi)的電場放電所需電壓閾值Uz時(shí)，C1通過電火花放電降到Ul電壓。C2的位移電流可能還會把C1重新充電，因此在電壓的半個(gè)周期內(nèi)根據(jù)電壓的高低不同可能會產(chǎn)生多次局部放電。

 

 

測試方法

 

理想情況下我們假設(shè)耦合的電容遠(yuǎn)大于被測絕緣體的電容，被測絕緣體發(fā)生局部放電時(shí)在其兩端的端子發(fā)生相對于電源非常小的電壓降，其立刻會被耦合電容補(bǔ)償。因此在耦合電容和待測絕緣體電容之間會流經(jīng)高頻電流，通過對流經(jīng)耦合電容的電流進(jìn)行積分，得到流入絕緣體的電荷量：視在放電量。通過C1，C2折算得到絕緣體內(nèi)通過局放消耗掉的電量q1，可以注意到C2比C1小，因此視在放電量對比q1很小。

 

對于Ck＞＞Ct有：

 

 

當(dāng)C1＞＞C2有：

 

 

局部放電測量的接線圖如下圖所示，測試電流為工頻交流電。Ct（Cp）為待測物體等效的電容，Cp為耦合電容。

 

 

在實(shí)際應(yīng)用測試時(shí)，耦合電容不會無窮大，通常它約等于測試絕緣體的電容，它只會補(bǔ)償一部分發(fā)生在被測端的電壓降。在這種情況下測量到的電荷會比視在電荷量小，因此我們必須在實(shí)驗(yàn)開始前對儀器進(jìn)行校準(zhǔn)，確定測量的電荷qm和視在電荷qs的比值。

 

 

電流積分

 

為了將解耦的電流脈沖轉(zhuǎn)換為電荷值，需要對其進(jìn)行積分。這可以通過兩種不同的方式完成：時(shí)域積分和頻域積分

 

頻域積分

 

一般要對電流進(jìn)行積分我們可以使用一個(gè)RC低通濾波器，然而它不能避開50Hz交流電流帶來的干擾，所以我們會用一個(gè)帶通濾波器對電流頻譜密度相對平坦的區(qū)域進(jìn)行積分。寬帶局放測量設(shè)備通常在10至100kHz的頻帶內(nèi)進(jìn)行測量。一些窄帶寬濾波器用于頻域中的積分。有些局放測量設(shè)備可以調(diào)節(jié)為窄帶寬很小的帶通濾波器（IEC60270標(biāo)準(zhǔn)中推薦中心頻率50kHz≤fm≤1MHz，帶寬9kHz≤Δf≤1MHz），以便可以將檢測范圍設(shè)置為任何頻率范圍，來避開特定干擾頻率。

局放電流脈沖在時(shí)域和頻域

 

但窄帶寬測量的缺點(diǎn)是脈沖消隱時(shí)間長。如果兩個(gè)局放脈沖緊緊跟隨在一起，則只有在記錄前一個(gè)脈沖振蕩完之后，才能正確第二個(gè)脈沖。如果在帶通仍在振蕩時(shí)第二個(gè)脈沖到達(dá)，則兩個(gè)不同相位脈沖響應(yīng)將疊加在輸出上，這可能導(dǎo)致隨后的峰值產(chǎn)生測量誤差。由于帶通濾波器的衰減時(shí)間與帶寬大致成反比，因此在窄帶測量會在電流信號上升很快的情況下產(chǎn)生誤差。這種窄帶寬測量的另一大確定是無法分別局放脈沖的正負(fù)極。如下圖：

 

左圖，右圖分別是窄帶寬測量和寬帶寬測量的脈沖響應(yīng)

 

時(shí)域積分

 

過對時(shí)域內(nèi)的電流脈沖進(jìn)行積分相當(dāng)于使用寬帶寬測量。根據(jù)IEC 60270：2001，使用100-400kHz之間的帶寬進(jìn)行測量。現(xiàn)代的局放測量設(shè)備可在高達(dá)MHz的帶寬范圍內(nèi)工作。但是如果測試環(huán)境不進(jìn)行電磁屏蔽，可能會有無線電干擾耦合到測量信號中造成誤差。寬帶測量可以從局放脈沖中獲取有關(guān)絕緣材料各個(gè)部位老化更詳細(xì)的信息。與窄帶測量設(shè)備相比，在時(shí)域積分的局放電荷測量設(shè)備對頻譜沒有任何特殊要求。由于帶寬大，這些設(shè)備有非常好的脈沖分辨率。

 

耦合方式

 

參照IEC 60270通過耦合電容測試局部放電的方法可以有直接測量法，間接測量法和差分測量法，分別對應(yīng)下圖：

 

間接測量法和差分測量法

 

 

可以發(fā)現(xiàn)間接測量時(shí)耦合裝置和耦合電容串聯(lián)，在樣品損壞時(shí)耦合裝置不會被破壞，然而它的靈敏度相較于直接測量（耦合裝置和待測絕緣體串聯(lián)）較低。但當(dāng)測試樣品擊穿時(shí)，使用直接測量更可能會損壞耦合裝置。

 

實(shí)際測量

 

我們的實(shí)驗(yàn)中采用間接測量方式，采用頻域積分。在測量前對不同中心頻率和帶寬進(jìn)行調(diào)試使得基本噪聲水平維持較低水平。每次更換待測樣品需要重新校準(zhǔn)測量的電荷qm和視在電荷qs的比值。待測樣品被污染的絕緣油的平板電容器，其主要表現(xiàn)為由于雜質(zhì)或氣泡引起的氣隙局部放電。

 

有缺陷的平板電容器局放

 

基本噪聲水平：QIEC=4.3pC
 

局放起始時(shí)電壓有效值：UTEE=8.8kV

 

下圖中綠線為測試電壓波形。當(dāng)電壓有效值達(dá)到8.8kV時(shí)，待測樣品在電壓負(fù)半周開始出現(xiàn)局部放電。當(dāng)電壓有效值達(dá)到10kV時(shí)，待測樣品在電壓負(fù)半周出現(xiàn)局部放電的次數(shù)增多。

 

局放在10kV

 

 

IGBT模塊的局放

 

IGBT模塊的結(jié)構(gòu)如圖所示，是絕緣型器件，電壓等級從600V到6500V不等，3300V以上的電壓等級，需要考核局部放電。

 

在IGBT模塊結(jié)構(gòu)中，芯片焊在覆銅的陶瓷襯底DCB上，陶瓷襯底DCB焊在基板上。在模塊腔體內(nèi)有硅膠填充。

 

由此可見，IGBT模塊中有三個(gè)介電系統(tǒng)：

 

1.絕緣用陶瓷襯底，常見的為Al2O3和AIN

 

2.填充用硅膠，其作用是防止模塊內(nèi)部局部放電和擊穿

 

3.陶瓷襯底和硅膠的界面

 

 

在模塊中，局部放電現(xiàn)象主要出現(xiàn)在絕緣材料中的氣泡或具有不同介電常數(shù)的污染物質(zhì)，高壓模塊需要采用局部放電測量來衡量可靠性和壽命。

 

模塊中尖——板結(jié)構(gòu)

 

在IGBT模塊中，由于DCB的覆銅層的邊緣處場強(qiáng)較高，其內(nèi)部的局部放電處于陶瓷基板和銅基板的交接邊緣處。在模塊中會填充硅膠作為絕緣介質(zhì)，其介電強(qiáng)度高達(dá)15X106V/mm，可以降低局放的影響，而且它使得模塊在沒有局放時(shí)具有一定的自愈能力，但無法恢復(fù)由于持續(xù)局放產(chǎn)生的永久損害。

 

 

通常可以通過改善DCB的銅層邊緣來控制場強(qiáng)或優(yōu)化絕緣介質(zhì)，抬高局放起始電壓最終達(dá)到降低局部放電進(jìn)而提高模塊可靠性和壽命的目的。

 

模塊中氣隙放電

 

DCB板中的絕緣材料Al2O3和AIN都會存在氣泡或具有不同介電常數(shù)的污染物質(zhì)，其是造成局放的原因。

 

 

局放是高壓功率模塊的重要指標(biāo)，會在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明，指標(biāo)是這樣給出的：

 

英飛凌FZ600R65KE3,600A 6500V IGBT局部放電停止電壓，VISOL=5.1kV RMS，50Hz此時(shí)QPD典型值為10pC。意思是當(dāng)檢測到通過局放的電荷量小于10pC時(shí)可以認(rèn)為局部放電停止，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)低于10pC的局部放電不會對絕緣系統(tǒng)造成有害影響，此時(shí)的電壓有效值為5.1kV。局放停止電壓必須高于工作電壓，這確保了器件達(dá)到工作電壓時(shí)由于電壓尖峰引起的局放可以再次熄滅。

 

參考文獻(xiàn)

 

[1] Adolf J. Schwab, Hochspannungsmesstechnik – Messgeräte und Messverfahren,

 

2. Auflage, Springer Verlag 1981

 

[2] Energietechnische Praktikum ETI / IEH, Versuch Nr. 4 Diagnostik elektrischer Betriebsmittel Karlsruher Institut für Technologie 2021

 

[3] DIN EN 60270, Hochspannungs-Prüftechnik – Teilentladungsmessungen

 

März 2001

 

[4] 王昭,劉曜寧，高壓IGBT模塊局部放電研究現(xiàn)狀，電子元件與材料10.2017

 

來源：英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體，作者：陳嘉騰 德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院 碩士生

 

 

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