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    MOS晶體管共源極放大器

    發(fā)布時(shí)間:2020-06-30 來(lái)源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 責(zé)任編輯:wenwei

    【導(dǎo)讀】共源極放大器是三種基本單級(jí)放大器拓?fù)渲弧OS共源極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的柵極端為輸入,漏極端為輸出,而源極為輸入和輸出共用(可連接至參考地端或電源軌),所謂共用即由此而來(lái)。
     
    目標(biāo)
     
    本活動(dòng)的目的是研究MOS晶體管的共源極配置。
     
    背景知識(shí)
     
    共源極放大器是三種基本單級(jí)放大器拓?fù)渲弧OS共源極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的柵極端為輸入,漏極端為輸出,而源極為輸入和輸出共用(可連接至參考地端或電源軌),所謂共用即由此而來(lái)。
     
    材料
     
    ●  ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊
    ●  無(wú)焊面包板
    ●  五個(gè)電阻
    ●  一個(gè)50 kΩ可變電阻、電位計(jì)
    ●  一個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管(ZVN2110A)
     
    指導(dǎo)
     
    圖1所示配置展現(xiàn)了用作共源極放大器的NMOS晶體管。選擇適當(dāng)?shù)妮敵鲐?fù)載電阻RL,用于產(chǎn)生合適的標(biāo)稱漏極電流ID,VDS的電壓約為正電源電壓(+5 V)和負(fù)電源電壓VN(–5 V)的中間值。通過(guò)可調(diào)電阻RPOT來(lái)設(shè)置晶體管(VGS) 的標(biāo)稱偏置工作點(diǎn),進(jìn)而設(shè)置所需的IC。選擇適當(dāng)?shù)姆謮浩鱎1/R2,以便通過(guò)波形發(fā)生器W1提供足夠大的輸入激勵(lì)衰減,使W1的幅度與 VDS上的信號(hào)幅度大致相同。考慮到在晶體管VGS的柵極上會(huì)出現(xiàn)非常小的信號(hào),這樣做更容易查看波形發(fā)生器W1信號(hào)。衰減的W1信號(hào)通過(guò)4.7 uF C1交流耦合到晶體管柵極,以免干擾直流偏置條件。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖1.共源極放大器測(cè)試配置。
     
    硬件設(shè)置
     
    波形發(fā)生器W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連接在示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號(hào)W1。示波器通道2 (2+)用于交替測(cè)量M1柵極和漏極的波形。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖2.NMOS二極管面包板電路。
     
    程序步驟
     
    打開(kāi)連接到MOS晶體管漏極(VP = +5 V)和源極(VN = –5 V)的電源。
     
    配置示波器以捕獲多個(gè)周期的輸入信號(hào)(橙色跡線)和輸出信號(hào)(紫色跡線)
     
    產(chǎn)生的波形如圖3所示。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖3.共源極放大器測(cè)試電路的波形圖。
     
    共源極放大器的電壓增益A可以表示為負(fù)載電阻RL與小信號(hào)源極電阻rs的比值。晶體管的跨導(dǎo)gm是漏極電流ID和所謂的柵極過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓VGS-Vth的函數(shù),其中Vth是閾值電壓。
     
    MOS晶體管共源極放大器
     
    小信號(hào)源極電阻為1/gm且可視為與源極串聯(lián)。現(xiàn)在,在柵極上施加電壓信號(hào),相同的電流會(huì)流入rs和漏極負(fù)載RL。因此,RL × gm可得到增益A。
     
    MOS晶體管共源極放大器
     
    添加源極負(fù)反饋
     
    共源極放大器為放大器提供反相輸出,具有極高增益,而且各晶體管之間的差異很大。增益與溫度和偏置電流密切相關(guān),所以實(shí)際增益有時(shí)無(wú)法預(yù)測(cè)。由于可能存在意外的正反饋,因此穩(wěn)定性是與此類高增益電路相關(guān)的另一個(gè)問(wèn)題。此外小信號(hào)限值帶來(lái)的低輸入動(dòng)態(tài)范圍也是一個(gè)問(wèn)題;如果超過(guò)此限值,就會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重失真,晶體管也不會(huì)像其小信號(hào)模型那樣工作。如果添加負(fù)反饋,就會(huì)減少此類問(wèn)題,從而提高性能。在這種簡(jiǎn)單的放大器級(jí)中添加反饋有多種方法,最簡(jiǎn)單也最可靠的方式是在源電路(RS)中添加一個(gè)小值電阻。這也稱為串聯(lián)反饋。反饋量取決于通過(guò)該電阻兩端的相對(duì)信號(hào)壓降。
     
    源極負(fù)反饋增益方程:
     
    MOS晶體管共源極放大器
     
    附加材料
     
    一個(gè)5 kΩ可變電阻、電位計(jì)
     
    指導(dǎo)
     
    斷開(kāi)M1源極接地連接,并插入RS, a 5 kΩ(5 kΩ電位計(jì)),如圖4所示。調(diào)整RS,同時(shí)注意觀察晶體管漏極上的輸出信號(hào)。電路增益可通過(guò)修改RS 電位計(jì)的值來(lái)調(diào)整。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖4.添加源極負(fù)反饋。
     
    硬件設(shè)置
     
    波形發(fā)生器W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連接在示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號(hào)W1。示波器通道2 (2+)用于交替測(cè)量M1柵極和漏極的波形。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖5.添加了源極負(fù)反饋的面包板連接。
     
    程序步驟
     
    打開(kāi)連接到漏極的電源(VP = 5 V)。
     
    配置示波器以捕獲多個(gè)周期的輸入信號(hào)(橙色跡線)和輸出信號(hào)(紫色跡線)。
     
    產(chǎn)生的波形如圖6所示。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖6.添加了源極負(fù)反饋的波形圖。
     
    提高源極負(fù)反饋放大器的交流增益
     
    添加源極負(fù)反饋電阻提高了直流工作點(diǎn)的穩(wěn)定性,但降低了放大器增益。可通過(guò)在負(fù)反饋電阻RS上并聯(lián)電容C2,在一定程度上恢復(fù)交流信號(hào)的較高增益,如圖7所示。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖7.添加C2以增加交流增益。
     
    硬件設(shè)置
     
    波形發(fā)生器W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連接示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號(hào)W1。示波器通道2 (2+)用于交替測(cè)量M1柵極和漏極的波形。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖8.添加了C2的面包板連接。
     
    程序步驟
     
    打開(kāi)連接到漏極的電源(VP = 5 V)。
     
    配置示波器以捕獲多個(gè)周期的輸入信號(hào)(橙色跡線)和輸出信號(hào)(紫色跡線)。
     
    產(chǎn)生的波形如圖9所示。
     
    MOS晶體管共源極放大器
    圖9.添加了C2的波形圖。
     
    問(wèn)題
     
    ●  添加負(fù)反饋如何有助于穩(wěn)定直流工作點(diǎn)?
    ●  對(duì)于源極負(fù)反饋電路設(shè)置,增加RS對(duì)電壓增益A有何影響?
     
     
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