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    用于高效電源轉(zhuǎn)換器的全新電路拓撲

    發(fā)布時間:2018-04-23 責任編輯:lina

    【導讀】對于具有高能量密度的高成本效益電力電子系統(tǒng)的開發(fā)工作而言,其關(guān)鍵就是能源效率。一個行之有效的經(jīng)驗法則是:只要能夠以更高的開關(guān)頻率進行操作,如果減少功率損耗,成本也會下降,因為冷卻負載較少并且可以使用更緊湊的無源元件。有鑒于此,開發(fā)人員可以利用某些技術(shù)顯著降低功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗,從而降低成本。


    逆變器是每個光伏系統(tǒng)的重要組成部分,其工作是將直流電壓轉(zhuǎn)換成交流電壓。功率晶體管的開關(guān)損耗對其效率影響很大。
     
    必須使用正確的電路拓撲和正確的組件選擇,才可以實現(xiàn)理想的效率。為了提高效率,逆變器正在增加使用寬帶隙材料制成的晶體管,例如GaN或SiC。問題在于:這些技術(shù)比使用硅基組件昂貴得多。
     
    因此,具有成本效益的系統(tǒng)需要進行電路設計創(chuàng)新,在使用硅基組件的同時實現(xiàn)最大程度的效率。
     
    優(yōu)化效率:半橋示例
     
    半橋示例說明了如何通過顯著降低開關(guān)損耗來優(yōu)化逆變器的效率,它包括檢查從阻斷高邊開關(guān)晶體管的續(xù)流二極管到低邊開關(guān)晶體管(圖1)的電流換向。
     
    除了電阻損耗以外,開關(guān)損耗由兩種損耗機制決定:首先是存儲在續(xù)流二極管中的反向恢復電荷(Qrr),它導致激活的低邊開關(guān)晶體管導通出現(xiàn)電流峰值;其次是對阻塞高邊開關(guān)晶體管的輸出電容(COSS)進行再充電時所流動的充電電流峰值。
     
    同步反向阻斷(SRB)串聯(lián)第二開關(guān)晶體管Q2以阻斷開關(guān)晶體管Q1的續(xù)流二極管中的反向電流。Q2的激活與Q1同步。反向電流通過并聯(lián)的碳化硅(SiC)肖特基二極管,該二極管具有高擊穿電壓和極低的反向恢復電荷,這大大降低了Qrr對開關(guān)損耗的影響。Q2的續(xù)流二極管的極性確保晶體管不能產(chǎn)生高電壓,因此,低介電強度(60 V)的型款就足夠了。
     
    圖1:開關(guān)半橋時的電流換向和損耗機制
    來源:東芝 
     
    使用高級SRB (A-SRB),通過采用較低的電壓去Q1進行預充電,大幅降低Q1的輸出電容的充電所造成的損失。輸出電容COSS強烈依賴于漏源電壓VDS。當VDS從0V增加到大約40V時,電容減少了例如大約100倍。
     
    在導通期間,該電壓依賴性導致?lián)p耗誘導的充電電流的主要部分流過Q1的低VDS。然而,Q1兩端的低電壓意味著半橋?qū)ǖ牡投司w管有著高電壓導通。由于充電電流峰值,導致晶體管的導通損耗很高。
     
    如果Q1的COSS被預充電到40V,例如,在半橋的低側(cè)開關(guān)晶體管導通之前,那么大部分充電電流不流過該晶體管導通,因此不會帶來導通虧損。預充電由IC柵極驅(qū)動器中的電荷泵所產(chǎn)生的附加電壓源執(zhí)行。
     
    圖2示出了用于減少半橋開關(guān)損耗的技術(shù)。實際的開關(guān)晶體管(Q1)是一個具有最大反向電壓(例如650V)的高壓超級結(jié)DTMOS IV。與Q1串聯(lián)連接的Q2輔助晶體管是一個低壓超級結(jié)UMOS VIII,其反向電壓為60 V。其中所使用的續(xù)流二極管是具有極低反向恢復電荷的SiC肖特基二極管。
     
    這個特殊的電路拓撲由一個專用的IC T1HZ1F驅(qū)動器來激活。該IC使用PWM輸入信號來產(chǎn)生晶體管柵極和充電脈沖所需的全部控制信號,以對Q1的輸出電容進行預充電。
     
    圖2:A-SRB電路拓撲的組件
    來源:東芝
     
    圖3:減少半橋開關(guān)損耗的技術(shù)
    來源:東芝
     
    東芝開發(fā)的A-SRB技術(shù)顯著降低了開關(guān)損耗,適用于光伏逆變器、DC / DC轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正(PFC)和驅(qū)動控制等一系列應用,圖3顯示了減少半橋開關(guān)損耗的技術(shù)。為了演示A-SRB技術(shù)的有效性,分別使用和不使用A-SRB進行逆變橋(H4拓撲)的SPICE仿真。
     
    圖4顯示了借助A-SRB實現(xiàn)雙極性調(diào)制的各種輸出功率和開關(guān)頻率的效率提升,使用具有低RDS(on) (100 A, 600 V)的東芝DTMOS IV作為開關(guān)晶體管。對于高開關(guān)頻率,效率增益最為明顯,因為A-SRB降低了開關(guān)損耗,這個例子中的最大效率增益約為6%。
     
    圖4:使用A-SRB來提高效率
    來源:東芝
     
    該系統(tǒng)的主要部分是具有A-SRB功能的逆變橋,它可根據(jù)額定功率用于各種實施方案。對于最大輸入功率大約為300 W的模塊逆變器,東芝提供了T1JM4模塊解決方案。該模塊集成了一個完整的半橋,包括具有A-SRB功能的柵極驅(qū)動器、開關(guān)晶體管和SiC肖特基二極管。市場上提供與開關(guān)元件相結(jié)合的分立柵極驅(qū)動器套件,可用于具有高達大約5kW的更高輸入功率的光伏逆變器。
     
    結(jié)論
     
    要優(yōu)化電力電子系統(tǒng)的成本,便要有效解決相關(guān)的損耗。基于成熟硅技術(shù)的智能功率損耗管理功能可以實現(xiàn)具有更高功率密度和能源效率的高成本效益系統(tǒng)。
     
    東芝的A-SRB技術(shù)確保了顯著的效率提升。除了光伏逆變器之外,它也適用于電力電子行業(yè)中的各種其它應用,例如用于DC / DC轉(zhuǎn)換器、無功功率補償和電機驅(qū)動。



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