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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調查" LED企業上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業即半導體照明企業，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區企業)。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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中能打破多晶硅技術壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發布了一則令全球光伏行業為之震動的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應商協鑫硅業(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業務主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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南方芯源在西安成立研發中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發起設立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術應用三個方面的產品研發。該中心的成立將進一步提高Samwin產品的技術先進度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應合同
剛剛成為全球最大硅片生產商的賽維LDK太陽能有限公司(下稱“賽維LDK”)昨日宣布，公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽能多晶硅片供應合同。后者是印度最大的太陽能企業。
2008-08-20
多晶硅 太陽能
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VCS1625Z ：Vishay改進的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VCS1625Z ：Vishay改進的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VSMP0603：Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面貼裝電阻。典型的 0603 電阻經過 1000 小時工作負荷后負載壽命穩定性 ≥0.1%，Vishay 新型器件在這方面已大幅改進，在額定功率、溫度 70oC 情況下工作 2000 小時負載壽命穩定性為 ±0.005%。
2008-08-13
VSMP0603 表面貼裝電阻 軍用級
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S系列：Vishay改進的軍用級高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩定性。
2008-07-30
箔電阻 S系列 軍用級
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